[發明專利]集成電路參數調校方法有效
| 申請號: | 200610077186.6 | 申請日: | 2006-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN101064276A | 公開(公告)日: | 2007-10-31 |
| 發明(設計)人: | 許續賀 | 申請(專利權)人: | 盛群半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/82 | 分類號: | H01L21/82;H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 陳晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 參數 調校 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種振蕩電路參數調校方法,尤其涉及一種利用外部裝置調校振蕩電路內部模擬電路的控制模擬參數的振蕩電路參數調校方法。
背景技術
隨著半導體技術的進步,對于電路輸出信號的精確度要求也更為嚴謹,然而,在制造過程中卻仍不免會有誤差產生,例如對于一個振蕩電路1內部的RC振蕩電路11而言,時常會發生RC振蕩頻率輸出值的偏移量超過±20%以上的誤差,因此必須通過調校步驟方能將偏移量修正至合理范圍。請參閱圖1,其為第一種公知振蕩電路參數調校方法。首先,在振蕩電路內部加入多個Trim?Pad12(Trim?Pad?1、Trim?Pad?2......Trim?Pad?n),當檢測到RC振蕩電路11的振蕩頻率輸出值超出預設值范圍時,則利用硬件燒斷保險絲(Fuse)的方式,將誤差修正至可接受的范圍。然而,此種調校方式對于需要超高精確度的振蕩電路而言,往往會因Trim?Pad12數量的增加,而提高硬件成本。
請參閱圖2,其為第二種公知振蕩電路參數調校方法。在成品出廠前,先利用測試模式21對振蕩電路2的內部模擬電路22進行測試,并依據測試結果作誤差修正,再通過輸入/輸出單元24將修正后的調校值直接燒錄至該振蕩電路2的非易失性存儲器23中。一般而言,該內部模擬電路為RC振蕩電路221以及低壓檢測電路222。此外,若非易失性存儲器23采用較便宜的EPROM,由于其僅能燒錄一次,因此燒錄至該非易失性存儲器的數值并無法保證為最佳數值;若非易失性存儲器23采用價格較高的EEPROM或其它可重復燒錄的非易失性存儲器,由于其具有重復燒錄的特性,因此當發生工藝漂移或電路設計非線性等因素而導致第一次的燒錄值并非為最佳數值時,則可利用重新燒錄以避免EPROM所造成的不足,但其成本相對比EPROM要高出許多。
綜合上述,因此需要一種振蕩電路參數調校方法,可同時兼顧精確性及制造成本上的考慮,來解決現有技術的不足。
發明內容
本發明的主要目的為提供一種振蕩電路參數調校方法,其利用具有檢測模式及調校模式的外部裝置來提高振蕩電路的內部模擬電路的輸出值的精確度。
為達上述目的,本發明提供一種振蕩電路參數調校方法,其包括下列步驟:步驟1,輸入初始值至該振蕩電路內部的鎖存寄存器(latch?register);步驟2,利用該振蕩電路的內部模擬電路讀取最后輸入該鎖存寄存器的數值,并利用該數值產生輸出值;步驟3,利用外部裝置的檢測模式,檢測該輸出值;步驟4,判斷該輸出值是否超出預設值范圍,若該輸出值超出該預設值范圍則進行步驟5,反之,則進行步驟6;步驟5,利用該外部裝置的調校模式取得調校值,并將該調校值輸入該鎖存寄存器(latch?register)中,再返回到步驟2;步驟6,將最后輸入該鎖存寄存器(latch?register)的數值寫入該振蕩電路的非易失性存儲器。
優選地,該外部裝置為燒錄器或測試機臺,且該外部裝置為可執行該步驟6的裝置。
優選地,該內部模擬電路為RC振蕩電路,且該輸出值為振蕩頻率。
優選地,該非易失性存儲器可選擇為EPROM、EEPROM、FLASH?ROM以及其它種類的非易失性存儲器其中之一。
為達上述目的,本發明提供一種振蕩電路參數調校方法,其包括下列步驟:步驟1,輸入初始值至該振蕩電路內部的鎖存寄存器(latch?register);步驟2,利用該振蕩電路的內部模擬電路讀取最后輸入該鎖存寄存器的數值,并利用該數值產生輸出值;步驟3,利用外部裝置的檢測模式,檢測該輸出值;步驟4,判斷該輸出值的對應值是否超出預設值范圍,若該輸出值超出該預設值范圍則進行步驟5,反之,則進行步驟6;步驟5,利用該外部裝置的調校模式取得調校值,并將該調校值輸入該鎖存寄存器(latch?register)中,再返回到步驟2;步驟6,將最后輸入該鎖存寄存器(latch?register)的數值寫入該振蕩電路的非易失性存儲器。
優選地,該外部裝置為燒錄器或測試機臺,且該外部裝置為可執行該步驟6的裝置。
優選地,該內部模擬電路為低壓檢測電路,且該輸出值為電平轉態判別信號,并且該對應值為實際電源電壓。
優選地,該非易失性存儲器可選擇為EPROM、EEPROM、FLASH?ROM以及其它種類的非易失性存儲器其中之一。
由此可以看出,本發明能提高振蕩電路的參數精確性及降低振蕩電路的制造成本。
附圖說明
圖1為第一種公知振蕩電路參數調校方法。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





