[發(fā)明專利]非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610077065.1
• 申請日: 2006-04-26
• 公開（公告）號: CN101064190A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 康智凱;黃漢屏;趙志明;陳世憲
• 申請（專利權(quán)）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1、一種非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，適用于由多個存儲單元所構(gòu)成的非揮發(fā)性存儲器，各所述存儲單元設(shè)置于基底上，且包括柵極與電荷陷入層，該方法包括：

以FN穿隧效應擦除該非揮發(fā)性存儲器一段時間，直到擦除飽和，使所述存儲單元皆具有飽和啟始電壓值。

2、如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，其中以FN穿隧效應擦除該非揮發(fā)性存儲器的步驟包括：于該柵極施加第一電壓，且于該基底施加第二電壓，該第二電壓與該第一電壓的電壓差足以引發(fā)FN穿隧效應。

3、如權(quán)利要求2所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，其中該電壓差介于8伏特～20伏特之間。

4、如權(quán)利要求2所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，其中該第一電壓為負電壓，該第二電壓為正電壓。

5、如權(quán)利要求2所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，還包括根據(jù)該電壓差決定該飽和啟始電壓值。

6、一種非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，適用于由多個存儲單元所構(gòu)成的非揮發(fā)性存儲器，各所述存儲單元設(shè)置于基底上，且包括柵極與電荷陷入層，該方法包括：

(a)檢測該非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓及啟始電壓均勻性；

(b)確認該非揮發(fā)性存儲器的該啟始電壓及該啟始電壓均勻性是否在目標值的范圍內(nèi)；以及

(c)當該非揮發(fā)性存儲器的該啟始電壓及該啟始電壓均勻性沒有在該目標值的范圍內(nèi)時，進行重置步驟，以FN穿隧效應擦除該非揮發(fā)性存儲器一段時間，直到擦除飽和。

7、如權(quán)利要求6所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，其中以FN穿隧效應擦除該非揮發(fā)性存儲器的步驟包括：于該柵極施加第一電壓，且于該基底施加第二電壓，該第二電壓與該第一電壓的電壓差足以引發(fā)FN穿隧效應。

8、如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，其中該電壓差介于8伏特～20伏特之間。

9、如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，其中該第一電壓為負電壓，該第二電壓為正電壓。

10、如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，其中根據(jù)該目標值決定該電壓差。

11、如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，還包括重復該步驟(b)至該步驟(c)，直到該非揮發(fā)性存儲器的該啟始電壓及該啟始電壓均勻性在該目標值的范圍內(nèi)。

12、一種非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，適用于由多個存儲單元所構(gòu)成的非揮發(fā)性存儲器，各所述存儲單元設(shè)置于基底上，且包括柵極與電荷陷入層，該方法包括：

決定該非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓目標值；

根據(jù)該啟始電壓目標值，決定以FN穿隧效應擦除該非揮發(fā)性存儲器時所需要的電壓差；

于該基底與該柵極之間施加該電壓差，以利用FN穿隧效應擦除該非揮發(fā)性存儲器一段時間，直到擦除飽和，使該非揮發(fā)性存儲器的該啟始電壓為該啟始電壓目標值。

13、如權(quán)利要求12所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，其中該電壓差介于8伏特～20伏特之間。

14、如權(quán)利要求12所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，其中于該基底與該柵極之間施加該電壓差的步驟包括：

根據(jù)該電壓差決定施加于該柵極的第一電壓與施加于該基底的第二電壓；以及

于該柵極施加該第一電壓，于該基底施加該第二電壓。

15、如權(quán)利要求14所述的非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法，其中該第一電壓為負電壓，該第二電壓為正電壓。