[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610074660.X
• 申請(qǐng)日: 2006-04-21
• 公開（公告）號(hào): CN101060148A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝明勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包含：

發(fā)光結(jié)構(gòu)，包含：

發(fā)光層，位于n型半導(dǎo)體層與p型半導(dǎo)體層之間；

透光基板，具有相對(duì)的第一表面與第二表面，該第一表面較該第二表面接近該發(fā)光層；及

透光載體，用以承載該發(fā)光結(jié)構(gòu)，并可與該發(fā)光結(jié)構(gòu)相區(qū)別，該透光載體具有相對(duì)的第三表面與第四表面，該第三表面較該第四表面接近該發(fā)光層；

其中，該第三表面的面積不小于該第一表面與該第二表面中任一者的面積，該第四表面與該發(fā)光層的面積的比值不小于1.6。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包括：

第一結(jié)合層，用以結(jié)合該發(fā)光層與該透光基板。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包括：

第二結(jié)合層，用以結(jié)合該發(fā)光結(jié)構(gòu)與該透光載體。

4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一結(jié)合層與該第二結(jié)合層的材料分別擇自SOG、硅樹脂、BCB、環(huán)氧樹脂、聚亞酰胺、及PFCB所構(gòu)成的組。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一表面的面積不小于該發(fā)光層的面積。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第二表面的面積不小于該發(fā)光層的面積。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第四表面的面積大于該第三表面的面積。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第四表面的面積大于該第三表面的面積，該第三表面的面積大于該第二表面的面積，該第二表面的面積大于該第一表面的面積。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第二表面的面積大于該第一表面的面積，該第四表面的面積大于該第三表面的面積，且第二表面與第三表面的面積實(shí)質(zhì)上相同。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一表面的面積大于該第二表面的面積。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第三表面未為該發(fā)光結(jié)構(gòu)覆蓋的部分包含不平整表面。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第三表面未為該發(fā)光結(jié)構(gòu)覆蓋的部分包含粗糙表面。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)還包括電極，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)相對(duì)于該透光載體的一側(cè)。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)還包括二個(gè)電極，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)的同一側(cè)，并分別電連接至該n型半導(dǎo)體層與該p型半導(dǎo)體層。

15.如權(quán)利要求13或14所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)與該電極相鄰且未為該電極覆蓋的表面包含不平整表面。

16.如權(quán)利要求13或14所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)與該電極相鄰且未為該電極覆蓋的表面包含粗糙表面。

17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該透光載體為平截頭體。

18.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該透光載體還包括弧形側(cè)表面。

19.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包括：

反射體，位于該透光載體相對(duì)于該發(fā)光結(jié)構(gòu)的一側(cè)，并用以反射行經(jīng)該透光載體內(nèi)部的光。

20.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包括：

基座，用以支撐該透光載體；

熒光材料，用以轉(zhuǎn)換該發(fā)光層所發(fā)出的光的波長；及

封裝材料，覆蓋于該發(fā)光結(jié)構(gòu)之上。

21.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該透光基板與該透光載體的熱膨脹系數(shù)的差值不大于10×10^-6/℃。

22.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該透光基板的材料擇自藍(lán)寶石、SiC、GaP、GaAsP、ZnSe、與CVD鉆石所構(gòu)成的組。

23.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該透光載體的材料擇自藍(lán)寶石、SiC、GaP、GaAsP、ZnSe、鉆石、與CVD鉆石所構(gòu)成的組。