[發明專利]一種亞光熔塊及其制造方法

無效

• 申請號: 200610074544.8
• 申請日: 2006-04-27
• 公開（公告）號: CN101062870A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 張平華
• 申請（專利權）人: 霍鐮泉
• 主分類號: C04B41/86
• 分類號: C04B41/86;C03C8/02
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 周春發

1、一種亞光熔塊，其特征在于：所述亞光熔塊各組分的重量百分比為：SiO₂?30～40％，ALO₃?13～16％，CaO?6～8％，MgO?3～5％，K₂O?0.7～1.5％，NaO₂?3～4％，ZnO?2～5％，PbO?1～3％，BaO?6～8％，ZnO₂?3～6％，B₂O₃?2～4％，Li₂O?0.2～0.6％，廢釉、刮邊釉10～30％。

2、根據權利要求1所述的一種亞光熔塊，其特征在于：所述球磨釉漿細度為325目：0.2～0.5％。

3、一種亞光熔塊的制造方法，其特征在于：所述制造方法工藝流程如下：原料進廠→檢驗→按原料組分配比配料→熔制→水淬→檢驗→包裝。

4、根據權利要求3所述的一種亞光熔塊的制造方法，其特征在于：所述熔制溫度為1500～1600℃。

5、根據權利要求3所述的一種亞光熔塊的制造方法，其特征在于：所述球磨釉漿比重為1.85～1.95g/cm³。

6、根據權利要求3所述的一種亞光熔塊的制造方法，其特征在于：所述球磨釉漿流速為65S以下。

7、根據權利要求3所述的一種亞光熔塊的制造方法，其特征在于：所述底釉比重為1.82g/cm³，所述底釉重量為：180～200g。

8、根據權利要求3所述的一種亞光熔塊的制造方法，其特征在于：所述面釉比重為1.90g/cm³，所述面釉重量為：180～200g。