[發(fā)明專利]一種TFT LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610074457.2
• 申請(qǐng)日: 2006-04-21
• 公開（公告）號(hào): CN101060123A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧朝勇;林承武
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136;G02F1/1345
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉芳

1、一種TFTLCD陣列基板，包括：基板、形成于基板上柵線和柵電極、形成于柵電極上的絕緣介質(zhì)層、有源層和歐姆接觸層、透明像素電極層、源漏電極、數(shù)據(jù)線、及鈍化層，其特征在于：所述歐姆接觸層具體為微晶硅材料層，透明像素電極層位于微晶硅材料層的上方并與微晶硅材料層歐姆接觸，數(shù)據(jù)線和源漏電極形成于透明像素電極層的上方。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TFT?LCD陣列基板，其特征在于：所述柵線和柵電極具體為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW和Cr任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TFT?LCD陣列基板，其特征在于：所述絕緣介質(zhì)層具體為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx、SiOxNy任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TFT?LCD陣列基板，其特征在于：所述源漏電極具體為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW、Cr任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。

5、一種TFT?LCD陣列基板的制造方法，其特征在于：包括：

步驟一，采用磁控濺射工藝在基板上沉積一個(gè)柵極金屬層，進(jìn)行掩膜和刻蝕，得到柵線和柵電極；

步驟二，采用化學(xué)氣相沉積法在完成步驟一的基板上沉積一個(gè)絕緣介質(zhì)層，一個(gè)有源層，一個(gè)歐姆接觸層，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成薄膜晶體管部分；

步驟三，采用磁控濺射工藝在完成步驟二的基板上沉積一個(gè)透明像素電極層，一個(gè)源漏電極金屬層，用灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩膜并刻蝕，形成透明像素電極、源漏電極和薄膜晶體管部分溝道部分；

步驟四，采用化學(xué)氣相沉積法在完成步驟三的基板上沉積一個(gè)鈍化層，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成過(guò)孔并對(duì)溝道形成保護(hù)，同時(shí)露出綁定引線。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種TFT?LCD陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟三中采用灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩模時(shí)，使掩膜板半透光部分對(duì)應(yīng)透明像素電極部分，掩膜板不透光部分對(duì)應(yīng)源漏電極及數(shù)據(jù)線部分，掩膜板完全透光部分對(duì)應(yīng)其余部分。

7、根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種TFT?LCD陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟二中沉積的歐姆接觸層具體為微晶硅材料層。

8、根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種TFT?LCD陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟三中所述透明像素電極層和源漏電極金屬層是在相同或不同設(shè)備中連續(xù)進(jìn)行沉積。

9、根據(jù)權(quán)利要求5至8任一所述的一種TFT?LCD陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟一中沉積柵極金屬層具體為沉積AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者沉積AlNd、Al、Cu、Mo、MoW和Cr中的任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。

10、根據(jù)權(quán)利要求5至8任一所述的一種TFT?LCD陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟二中沉積絕緣介質(zhì)層具體為沉積SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者沉積SiNx、SiOx、SiOxNy任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。

11、根據(jù)權(quán)利要求5至8任一所述的一種TFT?LCD陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟三中沉積源漏電極金屬層具體為沉積Mo、MoW或Cr的單層膜，或者沉積Mo、MoW、Cr任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。