[發明專利]快閃記憶卡封裝方法無效
| 申請號： | 200610072948.3 | 申請日： | 2006-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN101051616A | 公開（公告）日： | 2007-10-10 |
| 發明（設計）人： | 劉欽棟 | 申請（專利權）人： | 劉欽棟 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56;G06K19/07;B29C45/14;B29C45/17 |
| 代理公司： | 北京挺立專利事務所 | 代理人： | 葉樹明 |
| 地址： | 臺灣省新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 記憶 封裝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種快閃記憶卡封裝方法，其特征在于：所述封裝方法的步驟為：
a.將至少一電路基板置入模具內；
b.將熱固性材料注入前述模具中；
c.移動電路基板使前述熱固性材料包覆其周圍及一側；
b.加熱成型，形成一快閃記憶卡的外型。
2.根據權利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于：其中該電路基板已設有快閃內存相關電路布置的基板。
3.根據權利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于：其中該熱固性材料為電木粉。
4.根據權利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于：其中步驟b中該熱固性材料已預熱轉換為黏稠性的液態。
5.根據權利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于：其中步驟C中，該電路基板的移動過程中，該熱固性材料已停止注入動作。
6.根據權利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于：其中步驟D中，該加熱成型過程中是將溫度上升的預定高溫及維持適當時間，使得熱固性材料硬化并與電路基板結合在一起。
7.根據權利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于：其中該封裝過程是在一射出成型機中所完成。
8.根據權利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于：其中該快閃記憶卡為T-Flash。
9.根據權利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于：其中該快閃記憶為mini-SD。
10.根據權利要求1所述的快閃記憶卡封裝方法，其特征在于：其中該快閃記憶為RS-MMC。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
