[發明專利]具有較好的耐焊性的環型變阻器及其制造方法

無效

• 申請號: 200610072620.1
• 申請日: 2006-04-05
• 公開（公告）號: CN101051543A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 盧慶正;林進評;蔡駿宏;李芳賓
• 申請（專利權）人: 李芳賓
• 主分類號: H01C7/10
• 分類號: H01C7/10;H01C17/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1、一種環型變阻器，其特征在于包括：

一陶瓷體；

一銀層，其形成于所述陶瓷體上；

一鍍鎳層，其電鍍于所述銀層上；及

一鍍錫層，其電鍍于所述鍍鎳層上。

2、如權利要求1所述的環型變阻器，其特征在于，所述銀層是將銀膠以網版印刷方式印制于所述陶瓷體上，且該陶瓷體為半導體陶瓷。

3、如權利要求1所述的環型變阻器，其特征在于，所述銀層是在所述陶瓷體上形成至少三個銀電極部，所述鍍鎳層分別電鍍于各該銀電極部上而形成至少三個鍍鎳部，該鍍錫層則電鍍于各該鍍鎳部上。

4、一種環型變阻器的制法，其特征在于包括以下步驟：

準備一陶瓷基體；

對所述陶瓷基體進行多段式熱處理，以形成所需的陶瓷體；

在所述陶瓷體上形成多個銀電極；

在所述銀電極上分別電鍍一鍍鎳層；及

在所述鍍鎳層上分別電鍍一鍍錫層。

5、如權利要求4所述的環型變阻器的制法，其特征在于，所述準備陶瓷基體步驟包括：

準備陶瓷體的粉末狀配方；

將所述粉末狀配方加以混合成漿狀物；

將所述漿狀物予以干燥；

在干燥后再予煅燒；

在煅燒后再經過研磨混合；及

在研磨混合后則予以噴霧造粒和干壓成型而形成陶瓷基體。

6、如權利要求4所述的環型變阻器的制法，其特征在于，所述多段式熱處理步驟包括大氣燒結、還原以及氧化的三段式熱處理。

7、如權利要求4所述的環型變阻器的制法，其特征在于，所述電極制作步驟，是將銀漿以網版印刷方式，在所述陶瓷體上印刷出所需的銀電極，且該陶瓷體屬于半導體陶瓷。

8、如權利要求4所述的環型變阻器的制法，其特征在于，在電極制作步驟與鍍鎳步驟之間還包括一電鍍擴散效應避免步驟，藉以避免所述銀電極在電鍍時會產生電鍍擴散效應。

9、如權利要求8所述的環型變阻器的制法，其特征在于，所述電鍍擴散效應避免步驟，是通過改變電鍍前環型變阻器的表面阻值，以避免電鍍擴散效應的發生；或通過在陶瓷體上均勻沾附樹脂類包覆材料，以避免電鍍擴散效應的發生。

10、如權利要求4所述的環型變阻器的制法，其特征在于，在電極制作步驟與鍍鎳步驟之間還包括一混合陪鍍物步驟，藉以控制一電鍍槽內容物的電流密度，進而相應地控制電鍍速率的快慢以及電鍍層應力的大小。

11、如權利要求10所述的環型變阻器的制法，其特征在于，所述混合陪鍍物步驟中的電流密度控制，是在控制電流大、電壓高、陪鍍物尺寸大及陪鍍物重量小，藉以相應地控制出較快的電鍍速率以及較大的電鍍層應力。

12、如權利要求4所述的環型變阻器的制法，其特征在于，所述鍍鎳步驟中所使用的鎳液是使用氨基磺酸鎳，且在鍍鎳步驟或鍍錫步驟中，尺寸較大的被鍍物，其電鍍時間須減少，而尺寸較小的被鍍物，其電鍍時間須增加，藉以獲得相同的電鍍層厚度。

13、如權利要求4所述的環型變阻器的制法，其特征在于，所述鍍鎳層與鍍錫層的厚度總合，須小于銀電極的厚度，且所述鍍鎳層的厚度在1～2.5um之間，所述鍍錫層的厚度則在3～6um之間。

14、如權利要求4所述的環型變阻器的制法，其特征在于，在鍍錫步驟之后還包括一陪鍍物分散步驟。