[發明專利]具有電感的晶片級構裝結構及其構裝方法有效
| 申請號: | 200610072221.5 | 申請日: | 2006-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN101055844A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發明(設計)人: | 沈里正 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 梁揮;徐金國 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 電感 晶片 級構裝 結構 及其 方法 | ||
1.一種具有電感的晶片級構裝方法,其特征在于,包括有以下的步驟:
提供一第一基板;
形成一第二基板,該第二基板具有多個電感;及
通過多個連接墊接合該第一基板與該第二基板,以使該第一基板與該第二基板間具有間隙,各該連接墊用以將該電感電性連接至該第一基板,
其中,形成該第二基板的步驟包括有:
提供一介電層,該介電層的第一表面形成有一第一金屬層,且該介電層的第二表面形成有一第二金屬層;
蝕刻該第一金屬層與該第二金屬層,用以形成各該電感與多個金屬導線;
形成多個通孔于該介電層;
形成多個金屬導通體于各該通孔,各該金屬導通體用以連接該第一金屬層與該第二金屬層;
形成一第一絕緣層與一第二絕緣層,其中該第一絕緣層覆蓋該第一金屬層,且該第二絕緣層覆蓋該第二金屬層;及
蝕刻該第一絕緣層與該第二絕緣層,用以露出該金屬導線的多個接點。
2.根據權利要求1所述的具有電感的晶片級構裝方法,其特征在于,還包括切割該第一基板與該第二基板,以形成多個具有電感的芯片級構裝結構。
3.根據權利要求2所述的具有電感的晶片級構裝方法,其特征在于,還包括:將各該芯片級構裝設置于一無線傳輸模塊中。
4.根據權利要求1所述的具有電感的晶片級構裝方法,其特征在于,還包括形成多個錫球于該第一金屬層上。
5.根據權利要求1所述的具有電感的晶片級構裝方法,其特征在于,該介電層為一可撓性基材。
6.根據權利要求1所述的具有電感的晶片級構裝方法,其特征在于,還包括:形成多個電子元件于該第一基板,各該電感通過各該連接墊與各該電子元件電性連接。
7.根據權利要求1所述的具有電感的晶片級構裝方法,其特征在于,該第一基板具有一第一表面與一第二表面,該第一表面與各該連接墊相接,該具有電感的晶片級構裝方法還包括:
形成多個電子元件于該第二表面;及
形成多個穿透該第一基板的金屬導通體,各該金屬導通體電性連接該第一表面的各該連接墊與該第二表面的各該電子元件。
8.一種具有電感的晶片級構裝結構,其特征在于,包括有:
一第一基板;
多個連接墊,位于該第一基板上;及
一第二基板,位于各該連接墊上,該第二基板包括有:一介電層;一第一金屬層,位于該介電層的第一表面,該第一金屬層包括有該電感;一第二金屬層,位于該介電層的第二表面;多個金屬導通體,位于該介電層的多個通孔中,各該金屬導通體用以連接該第一金屬層與該第二金屬層;一第一絕緣層,位于該第一金屬層上;及一第二絕緣層,位于該第二金屬層上;
其中,各該連接墊與第二金屬層相接,用以將該電感電性連接至該第一基板,該第一基板與該第二基板間具有間隙。
9.根據權利要求8所述的具有電感的晶片級構裝結構,其特征在于,還包括多個錫球,配置于該第一金屬層上。
10.根據權利要求8所述的具有電感的晶片級構裝結構,其特征在于,該介電層為一可撓性基材。
11.根據權利要求10所述的具有電感的晶片級構裝結構,其特征在于,該可撓性基材包括有一聚酰亞胺基材或一聚酯基材。
12.根據權利要求8所述的具有電感的晶片級構裝結構,其特征在于,該第一基板還包括多個電子元件,各該電感通過各該連接墊與各該電子元件電性連接。
13.根據權利要求8所述的具有電感的晶片級構裝結構,其特征在于,該第一基板包括有:
一第一表面,該第一表面與各該連接墊相接;
一第二表面,該第二表面具有多個電子元件;及
多個穿透該第一基板的金屬導通體,各該金屬導通體電性連接該第一表面的各該連接墊與該第二表面的各該電子元件。
14.根據權利要求8所述的具有電感的晶片級構裝結構,其特征在于,該晶片級構裝結構還可經切割而形成多個芯片級構裝結構。
15.根據權利要求14所述的具有電感的晶片級構裝結構,其特征在于,各該芯片級構裝結構為一無線傳輸模塊的電感元件。
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