[發(fā)明專利]自旋注入場效應(yīng)晶體管、磁隨機存取存儲器和可重構(gòu)邏輯電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610071020.3 | 申請日： | 2006-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN1841768A | 公開（公告）日： | 2006-10-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 齊藤好昭;杉山英行;井口智明 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L29/66 | 分類號： | H01L29/66;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 | 代理人： | 岳耀鋒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 自旋 注入 場效應(yīng) 晶體管 隨機存取存儲器 可重構(gòu) 邏輯電路 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
