[發(fā)明專利]具有雙電壓源的熔絲記憶位與其電源供應(yīng)方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610066838.6 | 申請日： | 2006-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN101047166A | 公開（公告）日： | 2007-10-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃一洲;吳曉龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 富晶半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/58 | 分類號： | H01L23/58;H01L23/62;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 中國*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 電壓 記憶 與其 電源 供應(yīng) 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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