[發明專利]半導體量子點/量子阱導帶內躍遷材料結構無效
| 申請號： | 200610064882.3 | 申請日： | 2006-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN101038946A | 公開（公告）日： | 2007-09-19 |
| 發明（設計）人： | 金鵬;王占國 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L31/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 量子 阱導帶內 躍遷 材料 結構 | ||
【說明書】：
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