[發明專利]多組件陶瓷坩堝及其制造方法

有效

• 申請號: 200610064728.6
• 申請日: 2006-11-30
• 公開（公告）號: CN101092735A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: Y·莫里卡瓦;K·卡瓦薩基;S..－J.黃;M·謝普肯斯
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: C30B15/10
• 分類號: C30B15/10;C30B23/06;C23C14/24;C23C16/00;F27B14/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊松齡

1、一種用于制造半導體材料晶體的坩堝，該坩堝包括：

一封閉端，一開口端，一自開口端沿伸至封閉端的長度；

自開口端沿伸至封閉端長度間的圓周；內表面和外表面；

其中

該坩堝包括至少兩個構件，底部構件和頂部構件，在圓周上連在一起形成接頭；

該坩堝在至少內表面的一部分或外表面的一部分具有涂層，用于通過密封接頭固定連接構件。

2、根據權利要求1的坩鍋，其中至少兩個構件中的每一個有為兩構件在接頭處彼此鄰接的相等的圓周。

3、根據權利要求1的坩鍋，其中至少兩個構件中的每一個有為兩構件在接頭處彼此覆蓋的不同的圓周。

4、根據權利要求1-3中任一項的坩堝，其中涂層包含熱解氮化硼或熱解石墨。

5、根據權利要求1-4中任一項的坩堝，其中該涂層包括覆蓋坩堝外表面、具有0.005mm到0.025mm的厚度的熱解石墨，以便密封至少兩個構件之間的接頭。

6、根據權利要求1-5中任一項的坩堝，其中涂層覆蓋坩堝整個外表面。

7、根據權利要求1-5中任一項的坩堝，其中涂層覆蓋坩堝至少兩個構件之間的接頭和至少部分坩堝外表面。

8、根據權利要求1-5中任一項的坩堝，其中該至少兩個構件由在制造半導體材料晶體的工藝中為惰性、耐腐蝕且熱穩定的材料制成。

9、根據權利要求1-8中任一項的坩堝，其中該至少兩個構件由熱解氮化硼制成。

10、根據權利要求1-9中任一項的坩堝，其中涂層包括熱解石墨連續表面，用于接收RF信號并以比沒有熱解石墨涂層的坩堝至少少10％的時間將該坩堝加熱到至少1450℃溫度。

11、根據權利要求1-10中任一項的坩堝，其中將涂層圖案化成預定幾何構型，該涂層具有適宜形成用來接收DC或AC電流以加熱坩堝的至少一個電極的至少兩個獨立端面。

12、根據權利要求1-11中任一項的坩堝，其中底部構件基本為圓柱形狀，并且頂部構件基本為圓錐形狀。

13、根據權利要求1-12中任一項的坩堝，其中坩堝具有0.03厘米至0.23厘米厚的基本一致的壁厚。

14、一種從至少兩個構件制備單一體坩堝的方法，該方法包括步驟：

通過自氮源氣體和硼源氣體的氣態化合物的化學汽相沉積在具有與至少兩個坩堝構件的內腔相一致的外形的至少兩個不同的石墨型芯上沉積熱解氮化硼，

移走石墨型芯以形成包含氮化硼的至少兩個構件，每個構件都有一圓周；

將至少兩個構件沿圓周連接在一起，形成具有外表面的坩堝；

為密封兩個構件之間的接頭，通過化學汽相沉積在接頭表面沉積涂層。

15、根據權利要求14的方法，其中為密封兩個構件之間的接頭，通過自氣態烴化合物的化學汽相沉積在至少兩個構件的接頭表面沉積熱解石墨涂層。

16、根據權利要求14的方法，其中為密封兩個構件之間的接頭，通過化學汽相沉積在至少兩個構件的接頭表面沉積熱解氮化硼涂層。

17、根據權利要求15的方法，進一步包括步驟：

模制熱解石墨涂層以形成預定幾何構型，并且為接收DC或AC電流來加熱坩堝，給模制熱解石墨層配備適宜形成至少一個電極的至少兩個獨立端面。