[發明專利]通過蝕刻帽層和前置防護涂層而提高抗腐蝕性的顆粒狀磁記錄介質

無效

• 申請號: 200610064124.1
• 申請日: 2006-12-05
• 公開（公告）號: CN101197139A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: X·馬;T·P·諾蘭;R·坦加賈;M·J·施蒂曼;S·D·哈克尼斯四世;H·唐;J·桂;J·R·魏斯;G·C·勞奇
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/68
• 分類號: G11B5/68;G11B5/851;G11B5/84
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 張鑫

1.一種制造顆粒狀磁記錄介質的方法，包括以下連續步驟：

(a)提供包括一個表面的非磁性基底；

(b)在所述基底的表面上形成層堆疊，所述層堆疊包括具有最外面的顆粒狀磁記錄層，所述顆粒狀磁記錄層具有暴露表面；

(c)在所述顆粒狀磁記錄層的所述暴露表面上形成帽材料層，所述帽層具有暴露表面；

(d)蝕刻所述帽層的所述暴露表面以除去其至少一部分厚度并且形成處理表面；以及

(e)在所述處理表面上形成保護性的防護涂層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

步驟(b)包括形成層堆疊，所述層堆疊包括一個最外面的縱向磁記錄層或垂直磁記錄層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

步驟(c)包括形成一個大約至的非結晶或結晶金屬帽層，金屬材料從以下材料中選擇：含鉻合金、含鉭合金、以及含鈮合金。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

步驟(d)包括離子蝕刻所述帽層的所述暴露表面。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于：

步驟(d)包括采用惰性氣體離子對所述帽層的所述暴露表面進行濺射蝕刻。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于：

步驟(d)包括蝕刻所述帽層，從而留下約0到約的厚度。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

步驟(e)包括形成一個含碳(C)的保護性的防護涂層。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

步驟(c)包括在所述顆粒狀磁記錄層的所述暴露表面上形成一個抗蝕刻材料層，然后在所述抗蝕刻材料層之上形成所述帽層。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于：

步驟(d)包括蝕刻所述帽層的基本整個厚度。

10.如權利要求8所述的方法，其特征在于：

步驟(c)包括形成一個抗濺射蝕刻材料層。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于：

步驟(c)包括形成一個以非結晶碳為所述抗濺射蝕刻材料的層。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

步驟(b)包括形成所述層堆疊，所述層堆疊包括一個顆粒狀基于鈷合金的磁記錄層，所述磁記錄層由一種CoPtX合金組成，其中X至少為以下所選的一種元素或材料：鉻、鉭、硼、鉬、釩、鈮、鎢、鋯、錸、釕、銅、銀、鉿、銥、釔、氧、硅、鈦、氮、磷、鎳、SiO₂、SiO、Si₃N₄、Al₂O₃、AlN、TiO、TiO₂、TiO_x、TiN、TiC、Ta₂O₅、NiO和CoO，并且其中含鈷磁性顆粒通過包括至少一種氧化物、氮化物和碳化物的顆粒邊界進行隔離。

13.通過權利要求1所述方法制造的一種顆粒狀磁記錄介質。

14.一種顆粒狀磁記錄介質，包括：

(a)具有一個表面的非磁性基底；

(b)在所述基底表面上的層堆疊，所述層堆疊具有最外面的顆粒狀磁記錄層；

(c)在所述顆粒狀磁記錄層上的帽層，所述帽層具有濺射蝕刻的外表面；以及

(d)在所述帽層的所述濺射蝕刻外表面上的保護性的防護涂層。

15.如權利要求14所述的介質，其特征在于：

所述顆粒狀磁記錄層是垂直或縱向磁記錄層。

16.如權利要求14所述的介質，其特征在于：

所述帽層包括一個非結晶或結晶金屬層，金屬層的材料從以下材料中選擇：含鉻合金、含鉭合金、以及含鈮合金。

17.如權利要求14所述的介質，其特征在于：

所述帽層更進一步包括在所述顆粒狀磁記錄層和所述金屬材料層中間的抗濺射蝕刻材料層。

18.如權利要求17所述的介質，其特征在于：

所述抗濺射蝕刻材料層包括非結晶碳。