[發明專利]晶圓級芯片封裝制程與芯片封裝結構有效
| 申請號: | 200610063630.9 | 申請日: | 2006-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN101211791A | 公開(公告)日: | 2008-07-02 |
| 發明(設計)人: | 陳建宇 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/10;H01L23/31;H01L23/482 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣高*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓級 芯片 封裝 結構 | ||
技術領域
本發明是有關于一種封裝制程與封裝結構,且特別是有關于一種晶圓級芯片封裝制程與芯片封裝結構。
背景技術
在半導體產業中,集成電路(integrated?circuits,IC)的生產,主要分為三個階段:晶圓(wafer)的制造、集成電路的制作(IC?process)以及集成電路的封裝(IC?package)等。其中,芯片(chip)是經由晶圓制作、電路設計、光罩(mask)制作以及切割晶圓(wafer?sawing)等步驟而完成,而每一顆由晶圓切割所形成的芯片,在經由芯片上的接點與外部訊號電性連接后,可再以封裝膠體(molding?compound)將芯片包覆。其封裝的目的在于防止芯片受到濕氣、熱量、噪聲的影響,并提供芯片與外部電路之間電性連接的媒介,如此即完成集成電路的封裝步驟。
然而,由于傳統集成電路的封裝步驟是在切割晶圓以形成多個芯片之后,經由打線制程(wire?bonding?process)或是覆晶制程(flip?chipprocess)使芯片上的接點與外部訊號電性連接,之后再以封裝膠體將芯片包覆。因此,芯片在未以封裝膠體包覆之前,外界微粒(particles)容易掉附至芯片上,而使得現有芯片封裝結構的制程良率(yield)降低,而且上述的封裝制程的成本高。
為了解決上述問題,現有另一種芯片封裝結構如圖1所示。此芯片封裝結構100包括芯片110、透明蓋板120、間隔物(spacer)130與一層黏著層140。其中,芯片110的主動表面112上具有感光區114與位于感光區114周圍的多個接墊116。此外,間隔物130的外圍包覆有一層黏著層140,因此透明蓋板120是通過間隔物130的支撐與透過黏著層140的黏著而配置于主動表面112的上方。
然而,現有芯片封裝結構100的黏著層140通常會有空孔(void)或氣泡(bubble)殘留其中。此外,由于透明蓋板120與芯片110之間仍有一個間隙,若在封裝制程中有微粒殘留其中,則會污染或刮損(scratch)感光區114,進而影響外界入射光訊號的路徑,導致感光區114所接收的光訊號失真。由上述可知,現有芯片封裝結構100實有改進的必要。
發明內容
本發明的目的是提供一種晶圓級芯片封裝制程,可使得透明黏著層不易殘留空孔或氣泡,且制程中的微粒不易刮損或污染主動表面。
本發明的另一目的是提供一種芯片封裝結構,其透明黏著層所殘留空孔或氣泡的數目較少,且透明黏著層完全保護主動表面上的感光區。
為達上述目的,本發明提出一種晶圓級芯片封裝制程,包括下述步驟。首先,提供一個晶圓,晶圓內含多個芯片單元,且晶圓具有一個主動表面以及相對的一個背面,每一芯片單元的主動表面上具有若干個接墊。接著,在這些接墊下方形成若干個貫孔。接著,在這些貫孔內填入導電性材料與相對應的這些接墊電性連接,且導電性材料曝露并凸出于晶圓的背面。再者,形成一層透明黏著層于主動表面上。再來,在透明黏著層上配置一個透明蓋板,以通過透明黏著層接合透明蓋板與晶圓。然后,進行一單體化步驟,以分離這些芯片單元與其所對應的透明蓋板,而形成多個獨立的芯片封裝結構。
在本發明的一個實施例中,上述形成這些貫孔的方法包括蝕刻。
在本發明的一個實施例中,上述填入導電性材料的方法包括印刷。
在本發明的一個實施例中,上述填入導電性材料的方法包括電鍍。
在本發明的一個實施例中,上述形成透明黏著層的方法包括旋轉涂布法(spin?coating)。
在本發明的一個實施例中,上述晶圓級芯片封裝制程在配置透明蓋板于透明黏著層上之后,更包括固化透明黏著層的步驟。
為達上述目的,本發明提出一種芯片封裝結構,包括一個硅基材、一個透明黏著層與一個透明蓋板。硅基材具有主動表面以及相對的背面,其中主動表面上具有多個接墊,而這些接墊下方的硅基材內具有多個貫孔,且這些貫孔內配置有導電性材料,該導電性材料凸出于硅基材的背面。此外,透明黏著層配置于主動表面上,而透明蓋板配置于透明黏著層上,以通過透明黏著層接合至硅基材。
在本發明的一個實施例中,上述硅基材的主動表面上可具有感光區,且感光區內具有一個光二極管陣列。
在本發明的一個實施例中,上述硅基材的主動表面上可具有感光區,且感光區內具有一個光二極管陣列。此外,這些接墊可圍繞感光區配置,并電性連接至光二極管陣列。
在本發明的一個實施例中,上述這些接墊的材質包括鋁。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





