[發(fā)明專(zhuān)利]薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610063529.3
• 申請(qǐng)日: 2006-11-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101179096A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏碩廷;張建雄;張囿雄;鄭凱元;謝朝樺;洪肇逸;賴昭志
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管及其制造方法。

背景技術(shù)

由于液晶顯示裝置具輕、薄、省電等特點(diǎn)，其已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。液晶顯示裝置的主要元件是液晶面板，液晶面板通常包括一薄膜晶體管基板、一彩色濾光片基板和夾于該薄膜晶體管基板與該彩色濾光片基板之間的液晶層。其中，薄膜晶體管基板包括多個(gè)薄膜晶體管和多個(gè)像素區(qū)域，該多個(gè)薄膜晶體管作為該多個(gè)像素區(qū)域的控制開(kāi)關(guān)。

請(qǐng)參閱圖1，是一種現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。該薄膜晶體管100包括一絕緣基板110、一位于該絕緣基板110上的柵極120、一覆蓋該絕緣基板110和該柵極120的柵極絕緣層130、一位于該柵極絕緣層130上的非晶硅層141、一位于該非晶硅層141上的重?fù)诫s非晶硅層142、一位于該重?fù)诫s非晶硅層142和該柵極絕緣層130上的金屬電極層150、一覆蓋于該金屬電極層150和該柵極絕緣層130的鈍化層160。該金屬電極層150包括一源極151和一漏極152。

請(qǐng)參閱圖2，是該薄膜晶體管100的制造方法的流程圖，該制造方法包括如下步驟：在絕緣基板上形成一柵極(步驟101)；在柵極和絕緣基板上沉積一柵極絕緣層(步驟102)；在柵極絕緣層上形成一非晶硅層(步驟103)；在非晶硅層上形成一重?fù)诫s非晶硅層(步驟104)；在重?fù)诫s非晶硅層上形成一金屬電極層(步驟105)；在金屬電極層和柵極絕緣層上沉積一鈍化層(步驟106)。

請(qǐng)參閱圖3至圖8，是該薄膜晶體管100的制造方法的各步驟示意圖，其包括如下步驟：

步驟101如圖3所示，提供一絕緣基板110，利用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法，在該絕緣基板110上沉積一金屬層，并在金屬層上涂布一光致抗蝕劑。提供一掩膜，對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝光顯影并刻蝕金屬層形成一柵極120。該絕緣基板110的材料為玻璃、石英或者陶瓷等，該柵極120的材料為鋁鈦合金或鉻等。

步驟102如圖4所示，利用化學(xué)氣相沉積法，在該絕緣基板110與門(mén)極120上沉積一柵極絕緣層130。該柵極絕緣層130的材料為氮化硅或氧化硅等。

步驟103如圖5所示，利用化學(xué)氣相沉積法和一掩膜工藝，在該柵極絕緣層130上形成一非晶硅層141。

步驟104如圖6所示，利用化學(xué)氣相沉積法和氣相摻雜法和一掩膜工藝，在該非晶硅層141上形成一重?fù)诫s非晶硅層142，其中，氣相摻雜法中摻雜雜質(zhì)是磷離子。

步驟105如圖7所示，利用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法，在該重?fù)诫s非晶硅層142和該柵極絕緣層130上沉積一金屬層，并在金屬層上涂布一光致抗蝕劑。提供一掩膜，對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝光顯影并刻蝕金屬層形成一金屬電極層150。該金屬電極層150包括一源極151和一漏極152。該源極151和該漏極152的材料為鋁鈦合金或鉻等。

步驟106如圖8所示，利用化學(xué)氣相沉積法，在該源極151和漏極152和該柵極絕緣層130上沉積一鈍化層160。該鈍化層160的材料為氮化硅或氧化硅等。

該薄膜晶體管100工作時(shí)，當(dāng)柵極120與源極151之間施加正電壓，絕緣層130內(nèi)形成一強(qiáng)電場(chǎng)，該強(qiáng)電場(chǎng)排斥非晶硅層141靠近柵極120表面的空穴而吸引電子，從而在非晶硅層141靠近柵極120的表面形成一導(dǎo)電溝道將源極151和漏極152導(dǎo)通。當(dāng)柵極120與源極151之間施加負(fù)電壓時(shí)，薄膜晶體管100的導(dǎo)電溝道關(guān)閉，由于非晶硅層141的導(dǎo)電溝道中仍然存在少量空穴，在漏極152與源極151的電壓作用下形成薄膜晶體管的漏電流，隨著柵極120與源極151的負(fù)電壓的變大，空穴增多，漏電流變大。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中漏電流過(guò)大的問(wèn)題，有必要提供一種減少漏電流的薄膜晶體管。

還有必要提供一種減少漏電流的薄膜晶體管的制造方法。

一種薄膜晶體管，其包括一絕緣基板、一位于該絕緣基板上的柵極、一覆蓋該絕緣基板和該柵極的柵極絕緣層、一位于該柵極絕緣層上的輕摻雜非晶硅層、一位于該輕摻雜非晶硅層上的非晶硅層、一位于該非晶硅層上的重?fù)诫s非晶硅層和一位于該重?fù)诫s非晶硅層和該柵極絕緣層上的金屬電極層。

一種薄膜晶體管，其包括一絕緣基板、一位于該絕緣基板上的柵極、一覆蓋于該絕緣基板和該柵極的柵極絕緣層、一位于該柵極絕緣層上的第一非晶硅層、一位于該第一非晶硅層上的輕摻雜非晶硅層、一位于該輕摻雜非晶硅層上的第二非晶硅層、一位于該第二非晶硅層上的重?fù)诫s非晶硅層和一位于該重?fù)诫s非晶硅層和該柵極絕緣層上的金屬電極層。