[發(fā)明專利]泄漏電流防護(hù)電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610062821.3
• 申請日: 2006-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN101154799A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃永兆
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H02H3/00
• 分類號(hào): H02H3/00;H02H3/16;H02H7/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種泄漏電流防護(hù)電路。

背景技術(shù)

一般情況下，絕緣體是不導(dǎo)電的，但實(shí)際上幾乎沒有絕對不導(dǎo)電的絕緣材料。泄漏電流是指在沒有故障和施加電壓的情況下，相互絕緣的金屬元件之間，或帶電元件與接地元件之間，通過其周圍介質(zhì)或絕緣表面所形成的電流。泄漏電流是衡量電子設(shè)備絕緣性好壞的重要標(biāo)志之一，也是產(chǎn)品安全性能的主要指標(biāo)。

泄漏電流包括兩部分，一部分是通過絕緣電阻的傳導(dǎo)電流；另一部分是通過分布電容的位移電流。由于分布電容的位移電流隨頻率升高而增加，故通常情況下泄漏電流整體亦隨頻率升高而增加。

目前，一外接電路的輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)芯片工作時(shí)，為了保證所述輸入信號(hào)成功驅(qū)動(dòng)，一般會(huì)將所述輸入信號(hào)通過一上拉電阻接至一系統(tǒng)電源，并通過所述系統(tǒng)電源提供上拉電壓。然而，由于所述輸入信號(hào)來自一外部設(shè)備，在插拔所述外部設(shè)備時(shí)，會(huì)產(chǎn)生泄漏電流，所述泄漏電流會(huì)回流至所述系統(tǒng)電源從而影響所述系統(tǒng)電源的穩(wěn)定性。由于所述系統(tǒng)電源同時(shí)供電給其它電子元件，從而易導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述內(nèi)容，有必要提供一種可防止泄漏電流影響系統(tǒng)電源的防護(hù)電路。

本發(fā)明提供一種泄漏電流防護(hù)電路，用于防護(hù)一系統(tǒng)電源免受泄漏電流的影響，所述防護(hù)電路包括一第一晶體管及一第二晶體管，所述第二晶體管連接至所述系統(tǒng)電源；所述第一晶體管接收一控制信號(hào)并控制所述第二晶體管的通斷，所述系統(tǒng)電源可于所述第二晶體管導(dǎo)通后輸出一上拉電壓至一外接電路。

相較現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明泄漏電流防護(hù)電路的所述晶體管單向電壓導(dǎo)通，故防止了所述外接電路產(chǎn)生的泄漏電流影響系統(tǒng)電源的穩(wěn)定性，從而確保了系統(tǒng)的正常穩(wěn)定工作。

附圖說明

下面參照附圖結(jié)合具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。

圖1為一外接電路及本發(fā)明泄漏電流防護(hù)電路的較佳實(shí)施方式的電路圖。

具體實(shí)施方式

請參照圖1，本發(fā)明泄漏電流防護(hù)電路10的較佳實(shí)施方式包括一第一晶體管NQ1及一第二晶體管NQ2，所述第二晶體管NQ2連接至一系統(tǒng)電源VCC；所述第一晶體管NQ1接收一控制信號(hào)CL并控制所述第二晶體管NQ2的通斷，所述控制信號(hào)CL是整個(gè)系統(tǒng)的電壓時(shí)序信號(hào)，所述控制信號(hào)CL電平的高低可控制所述第一晶體管NQ1的通斷；所述系統(tǒng)電源VCC可于所述第二晶體管NQ2導(dǎo)通后輸出一上拉電壓V_IFP至一外接電路20的上拉電壓接入端以增強(qiáng)對所述外接電路20的信號(hào)驅(qū)動(dòng)。

本發(fā)明泄漏電流防護(hù)電路10的較佳實(shí)施方式還包括一驅(qū)動(dòng)電阻R和一濾波電感L。所述第一晶體管NQ1為一增強(qiáng)型N-MOS開關(guān)晶體管；所述第二晶體管NQ2為一增強(qiáng)型P-MOS開關(guān)晶體管。所述第一晶體管NQ1的柵極接至所述控制信號(hào)CL，所述第一晶體管NQ1的源極接地，所述第一晶體管NQ1的漏極接至所述第二晶體管NQ2的柵極。所述第二晶體管NQ2的柵極還經(jīng)所述驅(qū)動(dòng)電阻R接至所述第二晶體管NQ2的源極；所述第二晶體管NQ2的漏極直接接至所述系統(tǒng)電源VCC。所述第二晶體管NQ2的源極經(jīng)所述濾波電感L后輸出所述上拉電壓V_IFP。驅(qū)動(dòng)所述外接電路20工作的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(圖未示)可通過上拉電阻接至所述上拉電壓V_IFP以提升所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力。所述濾波電感L可抑制電流倒灌，從而達(dá)到更好的電路使用效果。

工作時(shí)，當(dāng)外部設(shè)備接入后，所述外部設(shè)備即提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)至所述外接電路20，此時(shí)所述控制信號(hào)CL變?yōu)楦唠娖剑龅谝痪w管NQ1的柵源電壓為正，由于所述第一晶體管NQ1為一N-MOS開關(guān)晶體管，故導(dǎo)通；則所述第二晶體管NQ2的柵源電壓電壓為負(fù)，由于所述第二晶體管NQ2為一P-MOS開關(guān)晶體管，故所述第二晶體管NQ2也導(dǎo)通。此時(shí)由所述系統(tǒng)電源VCC通過所述第二晶體管NQ2及所述濾波電感L輸出電壓V_IFP作為所述外接電路20驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上拉電壓。當(dāng)所述外部設(shè)備拔離所述外接電路20時(shí)，所述外接電路20即產(chǎn)生泄漏電流。然而，由于所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)一經(jīng)消失，所述控制信號(hào)CL即變?yōu)榈碗娖剑瑥亩龅谝痪w管NQ1及第二晶體管NQ2均截止，故所述外接電路20產(chǎn)生的泄漏電流不會(huì)回流至所述系統(tǒng)電源VCC，從而確保了整個(gè)系統(tǒng)的正常穩(wěn)定工作。

需要說明的是，所述泄漏電流防護(hù)電路10的較佳實(shí)施方式中的第一晶體管NQ1及第二晶體管NQ2可以用相應(yīng)的三極管甚至二極管等單向?qū)ňw管開關(guān)元件來替代。