[發(fā)明專利]互阻放大器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610061686.0
• 申請日: 2006-07-12
• 公開（公告）號: CN101106359A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡海軍;李揮;張政操;余麗波;李玉龍;劉思榮;馬建設(shè);韓小明;高金璐
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)深圳研究生院
• 主分類號: H03F3/08
• 分類號: H03F3/08
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所
• 代理人: 胡吉科

1.一種互阻放大器，用于將電流信號轉(zhuǎn)化成電壓信號，其單級放大電路包括：第一晶體管和第二晶體管，該第一、第二晶體管的柵極連接作為輸入端用以輸入信號，其漏極互相連接，該第一晶體管的源極接地，該第二晶體管的源極與第一電源連接，其特征在于：該單級放大電路還包括：第三晶體管和第四晶體管，該第三晶體管的柵極和源極、第四晶體管的源極與第二晶體管的源極連接，該第三、第四晶體管的漏極與第二晶體管的漏極連接作為輸出端用以輸出信號，該第四晶體管的柵極接地，當(dāng)與該互阻放大器連接的光電二極管將光信號轉(zhuǎn)化成電流信號輸入至該互阻放大器時，該第三、第四晶體管可通過增加第一晶體管的電流來增加光電二極管的光電轉(zhuǎn)換效率。

2.如權(quán)利要求1所述的互阻放大器，其特征在于：該第一晶體管是NMOS晶體管，該第二、第三和第四晶體管是PMOS晶體管。

3.如權(quán)利要求1所述的互阻放大器，其特征在于：該互阻放大器包括一個反饋網(wǎng)絡(luò)，該反饋網(wǎng)絡(luò)包括一個第五晶體管，其柵極接地，其源極和漏極分別與輸出端和輸入端連接，該第五晶體管可以保障該互阻放大器輸出電壓的穩(wěn)定性。

4.如權(quán)利要求3所述的互阻放大器，其特征在于：該第五晶體管是PMOS晶體管。

5.如權(quán)利要求4所述的互阻放大器，其特征在于：該反饋網(wǎng)絡(luò)還包括第一電容，該第一電容的兩端分別與該互阻放大器的輸入輸出端連接，該第一電容可使該互阻放大器的頻率響應(yīng)平坦化。

6.如權(quán)利要求3、4或5所述的互阻放大器，其特征在于：該反饋網(wǎng)絡(luò)還包括一個寄生電容補償模塊，該寄生電容補償模塊包括第六晶體管，第七晶體管和第二電容，該第六晶體管的柵極與該互阻放大器的輸入端連接，其源極與該互阻放大器的輸出端連接，其漏極與第二電容的一端連接；該第七晶體管的柵極與該互阻放大器的輸出端連接，其源極接地，其漏極與第二電容的另一端連接，該寄生電容補償模塊可以使該互阻放大器獲得足夠的相位裕度以保持電路穩(wěn)定。

7.如權(quán)利要求6所述的互阻放大器，其特征在于：該第六晶體管和第七晶體管均為PMOS晶體管。

8.如權(quán)利要求6所述的互阻放大器，其特征在于：該第二電容兩端連接第二電壓源。

9.如權(quán)利要求1或8所述的互阻放大器，其特征在于：該互阻放大器采用0.6μmCMOS工藝。

10.如權(quán)利要求5所述的互阻放大器，其特征在于：該第五晶體管的等效電阻值是12kΩ，第一～第七晶體管均為最小的溝道長度，第一電容的值為1pf。