[發明專利]基板樹脂封裝方法無效
| 申請號: | 200610061578.3 | 申請日: | 2006-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN101101882A | 公開(公告)日: | 2008-01-09 |
| 發明(設計)人: | 閻躍鵬;閻躍軍 | 申請(專利權)人: | 閻躍軍;閻躍鵬 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 樹脂 封裝 方法 | ||
【技術領域】
本發明涉及一種規模生產的基板樹脂封裝方法,主要用于電子器件的封裝。它特別適合于大規模、低成本、高成品率地在有機材料基板及復合介質材料基板上用樹脂封裝裸露芯片或半導體器件。
【背景技術】
在目前的電子器件封裝工程中,有多種電子器件的樹脂封裝的實現方法。例如目前比較流行的DIP、SOP、QFP、BGA、CSP封裝,最近發展起來的MCM、SIP、SOP封裝等。尤其是MCM和SIP封裝適合于高速數字和高頻模擬電路,已被廣泛應用于通信、雷達、導航和家電的各種系統領域中。尤其是MCM封裝,是將集成電路裸芯片和其它微型元器件互連組裝在同一塊高密謀高層基板上,并封裝在同一樹脂或管殼內構成功能齊全質量可靠、獨立功能的電子組件。MCM是實現電子裝備小型化輕量化高速度高可靠、低成本電路集成不可缺少的關鍵技術。它與傳統的混合IC主要區別在于MCM采用裸芯片、表貼無源器件與多層布線基板,并實現高密度互連。
但是目前MCM和SIP封裝用于高頻時多采用陶瓷基板。采用陶瓷基板封裝有頻率高、高溫不易變形、性能好的特點,可是另一方面采用陶瓷基板封裝的成本高、制作工藝復雜、加工較復雜。近年來有機基板和復合基板的高頻特性等性能有了長足的發展,可是若采用低成本有機基板和復合基板上實現樹脂封裝,大批量生產高溫成型時樹脂與基板附著差,容易出現剝離現象。對器件的密封性、可靠性產生致命的缺陷,甚至使產品完全報廢。有機基板和復合基板上芯片與部件封裝的低成本利用受到了限制。
本發明提出了一種適合于規模生產的基板樹脂封裝方法。可以較好地解決上述問題。
【發明內容】
本發明提出一種基板樹脂封裝方法,它適合于大規模、低成本、高效率地封裝芯片等半導體器件。
本發明所采用的技術方案是:一種基板樹脂封裝方法,其包括:整片基板1,用樹脂封裝在該整片基板1上的裸露物體6和封裝后形成的獨立樹脂封裝單元2,其特征在于:在一塊整片基板1上對多個裸露物體6采取分離封裝,形成獨立樹脂封裝單元2,各個獨立樹脂封裝單元2之間的間隔3保持一定的距離d,經過固化成型后,將整片基板1上形成的獨立樹脂封裝單元2切割成獨立的封裝單元。
裸露物體6是半導體芯片、導電線、印刷電路、電阻、電感、電容或它們的組合。
整片基板1可以是有機介質基板或復合介質基板。
獨立樹脂封裝單元2可以是用模具形成的封裝單元、滴灌形成的封裝單元或吸附形成的封裝單元。
在整片基板1上各個獨立樹脂封裝單元2之間可以設有基板隔離空心孔4,獨立樹脂封裝單元2間形成小面積的連接,這種連接可以在獨立樹脂封裝單元2的頂角處,也可以在其他位置。
固化成型的過程可以是高溫加熱固化或常溫放置固化。
在一塊整片有機基板或復合基板上對多個獨立裸露物體進行注模樹脂封裝。基板在X、Y、Z軸上的熱膨脹系數CTE(Coefficient?of?Thermal?Expansion)與樹脂在X、Y、Z軸上的熱膨脹系數CTE不同,基板與樹脂之間就會發生局部開裂和剝離。在整塊基板設計時,在各個獨立樹脂封裝單元間保持一定的距離。由于一定的間隔距離的存在,在樹脂注入高溫成型時,獨立樹脂封裝單元的樹脂與不同熱膨脹系數的基板的絕對位移就變得較小,位移應力小于粘著力。經過高溫加熱成型后,獨立樹脂封裝單元的樹脂與不同熱膨脹系數的基板不會發生剝離,能夠緊密地結合在一起。
為了便于切片,尤其考慮到高效率、低成本切片時,采用沖壓式切片是一種有效的方式。為此,在整片基板上各個獨立樹脂封裝單元之間形成可以有基板隔離空心孔,只是在獨立樹脂封裝單元的之間某處基板形成小面積的連接,這種連接可以在獨立樹脂封裝單元的頂角處,也可以在其他位置。空心孔可以是各種形狀的。采用空心孔,既可以滿足高效率、低成本沖壓式切片,又可以在樹脂注入高溫成型時,獨立樹脂封裝單元的樹脂與不同熱膨脹系數的基板的絕對位移就變得較小,經過高溫加熱成型后,獨立樹脂封裝單元的樹脂與不同熱膨脹系數的基板不會發生剝離,能夠緊密地結合在一起。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





