[發(fā)明專利]場發(fā)射元件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610061093.4 | 申請日： | 2006-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN101086939A | 公開（公告）日： | 2007-12-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉亮;姜開利;范守善;陳清龍;李錫福;陳杰良 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | H01J1/304 | 分類號： | H01J1/304;H01J29/04;C01B31/00;C01B31/02;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀區(qū)清華*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發(fā)射 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種場發(fā)射元件，其特征在于，該場發(fā)射元件包括至少一碳納米管場發(fā)射線材及至少一金屬支撐體線材，該碳納米管場發(fā)射線材和該金屬支撐體線材相互纏繞形成多股絞線結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射元件，其特征在于，該碳納米管場發(fā)射線材為碳納米管線或線狀碳納米管聚合物復合材料。
3.如權(quán)利要求2所述的場發(fā)射元件，其特征在于，該碳納米管場發(fā)射線材的直徑為2微米～200微米。
4.如權(quán)利要求2所述的場發(fā)射元件，其特征在于，該碳納米管聚合物復合材料包括聚合物材料和均勻分散于該聚合物材料中的碳納米管。
5.如權(quán)利要求4所述的場發(fā)射元件，其特征在于，該碳納米管直徑為5納米～40納米。
6.如權(quán)利要求4所述的場發(fā)射元件，其特征在于，該碳納米管聚合物復合材料中碳納米管的質(zhì)量百分比含量為1％～10％。
7.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射元件，其特征在于，該金屬支撐體材料為銅、銀、金、鎳或鉬。
8.如權(quán)利要求4所述的場發(fā)射元件，其特征在于，該聚合物材料為聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、丙烯腈一丁二烯丙烯一苯乙烯共聚物或聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物。
9.如權(quán)利要求2所述的場發(fā)射元件，其特征在于，該碳納米管線由多個碳納米管束通過范德華力首尾連接在一起形成。
10.一種場發(fā)射元件的制備方法，其包括以下步驟：
提供至少一碳納米管場發(fā)射線材與至少一金屬支撐體線材；
用紡線工藝將該碳納米管場發(fā)射線材與該金屬支撐體線材相互纏繞形成多股絞線結(jié)構(gòu)；
按照預定長度切割該碳納米管場發(fā)射線材與該金屬支撐體線材相互纏繞形成的多股絞線，形成場發(fā)射元件。
11.如權(quán)利要求10所述的場發(fā)射元件的制備方法，其特征在于，該切割方法包括機械剪切或激光切割。
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