[發明專利]高純度、高密度燒結氧化鎢材料有效
| 申請號: | 200610060350.2 | 申請日: | 2006-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN101062787A | 公開(公告)日: | 2007-10-31 |
| 發明(設計)人: | 楊海濤;高玲 | 申請(專利權)人: | 深圳大學 |
| 主分類號: | C01G41/02 | 分類號: | C01G41/02 |
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| 地址: | 518060廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 純度 高密度 燒結 氧化鎢 材料 | ||
技術領域:
本發明屬于無機化學非金屬元素;其化合物。
背景技術:
氧化鎢薄膜是一種被廣泛研究的功能材料。它有優異的短波透光性,禁帶寬度容易通過摻雜調節,通過離子注入、紫外光子輻照、氣體分子吸附,其光學、電學特性會產生顯著的變化,因此在光學玻璃、平板顯示、光電轉換、電致變色、光致變色等領域有廣泛的應用前景。
氧化鎢薄膜的制備方法主要有:物理氣相沉積、化學氣相沉積、噴霧熱解、陽極氧化、電解沉積法、溶膠-凝膠等各種方法。其中由于物理氣相沉積制備的氧化鎢薄膜與基體的結合強度高、沉積效率高、工藝成熟穩定而被廣泛應用。而用物理氣相沉積制備氧化鎢薄膜需要使用致密氧化鎢靶材,通過能量束將氧化鎢靶材中的氧化鎢轟擊氣化,再沉積到基體表面。由于純三氧化鎢自擴散系數低,并且在1470℃左右熔化,因此很難燒結致密。若添加燒結助劑,則氣相沉積的氧化鎢薄膜由于雜質而影響其性能光電特性。
發明內容:
本發明公開了一種新型的致密的氧化鎢材料的制備。其特征是不添加任何燒結助劑而使氧化鎢燒結致密化,從而使這種燒結氧化鎢的純度高于99%,密度大于6.7g/cm3。由于其高純度和高密度,這種致密的氧化鎢材料適合作為氧化鎢鍍膜用的靶材。
本發明詳細研究并掌握了球磨、成型及燒結工藝對燒結氧化鎢材料的致密化、性能及結構的影響規律,從而可對其致密化、結構與性能進行有效的控制,制備出高純度、高密度的致密的氧化鎢材料。
附圖說明:
下面結合附圖對本發明作進一步說明:
附圖:高純度、高密度燒結氧化鎢材料的制備工藝流程圖。
下面結合附圖對本發明作進一步說明:
如附圖所示,本發明的工藝流程是:先將氧化鎢粉末、成形劑聚乙二醇(PEG)加入球磨機中濕磨混合,液體介質為水或酒精,充分濕磨混合均勻后,經干燥過篩制粒得到混合料,然后成型(干壓、冷等靜壓、注射成型等),得到生坯,經脫成型劑后,即可在空氣中進行常壓燒結或氣壓燒結,得到高純度、高密度的燒結氧化鎢。
本發明的優點在于既適用于普通的氧化鎢粉末原料(粉末粒度5-30微米)也用于超細的氧化鎢粉末原料(小于5微米),并且不加入任何燒結助劑,就可制備出高純度、高密度的燒結氧化鎢,這種燒結氧化鎢,可經濟、高效的制成各種復雜形狀。
具體實施方式:
實例1:高純度、高密度的燒結三氧化鎢
三氧化粉末(平均粒度17微米)摻1-5%(重量)聚乙二醇(PEG)作為成型劑,加入蒸餾水在球磨機中濕磨24-96小時,干燥過篩后,在100-200MPa壓力下壓制成型,脫成型劑后,高溫爐中硅鉬棒爐中,在1110℃-1400℃下于空氣中常壓燒結60-180分鐘,隨爐冷卻,這樣制得的燒結三氧化鎢,純度高于99%,密度大于6.75g/cm3(相對密度≥94%)
實例2:高純度、高密度的燒結三氧化鎢
三氧化粉末(平均粒度10微米),摻1-5%(重量)聚乙二醇(PEG)作為成型劑,加入蒸餾水在球磨機中濕磨24-96小時,干燥過篩后,在100-200MPa壓力下壓制成型,脫成型劑后,在高溫爐中1110℃-1400℃下于空氣中常壓燒結60-180分鐘,隨爐冷卻,這樣制得的燒結三氧化鎢,純度高于99%,靶材密度大于6.82g/cm3(相對密度≥95%)
實例3:高純度、高密度的燒結藍色氧化鎢
藍色氧化鎢為中間氧化物(β藍色氧化鎢WO2.90和γ紫色氧化鎢WO2.72的混合物。藍色氧化鎢粉末(平均粒度15微米),摻1-5%(重量)聚乙二醇(PEG)作為成型劑,加入蒸餾水在球磨機中濕磨24-96小時,干燥過篩后,在100-200MPa壓力下壓制成型,脫成型劑后,在高溫爐內1110℃-1400℃下于空氣中常壓燒結60-180分鐘,隨爐冷卻,這樣制得的燒結藍色氧化鎢,純度高于99%,密度大于6.80g/cm3(相對密度≥94%)
以上三種高純度、高密度的燒結氧化鎢均可作為氧化鎢鍍膜用靶材。
實例4:本發明的燒結氧化鎢靶材的應用實例。
應用:玻璃鍍膜
靶材:燒結三氧化鎢密度:6.80g/cm3
鍍膜溫度:1000℃
玻璃鍍膜后的反射率:
光波波長(nm)????反射率(%)
440?????????????0.516
550?????????????0.772
650?????????????0.376
420nm-700nm的反射率小于1.1%
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