[發(fā)明專利]薄膜半導體器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610059485.7 | 申請日： | 2002-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN1841765A | 公開（公告）日： | 2006-10-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 松村正清;小穴保久;阿部浩之;山元良高;小關秀夫;蕨迫光紀 | 申請（專利權）人： | 株式會社液晶高新技術開發(fā)中心 |
| 主分類號： | H01L29/04 | 分類號： | H01L29/04;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 王永剛 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
