[發明專利]一種絕緣型大功率三極管的制造方法無效
| 申請號: | 200610053429.2 | 申請日: | 2006-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN101145525A | 公開(公告)日: | 2008-03-19 |
| 發明(設計)人: | 周柏泉 | 申請(專利權)人: | 周柏泉 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50 |
| 代理公司: | 杭州杭誠專利事務所有限公司 | 代理人: | 尉偉敏 |
| 地址: | 311400*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 絕緣 大功率 三極管 制造 方法 | ||
1.一種絕緣型大功率三極管的制造方法,本發明其特征在于:
a.芯片(1)集電極面與熱沉(3)燒結;熱沉(3)與的導熱絕緣電子陶瓷片(4)燒結;導熱絕緣電子陶瓷片(4)與底板(2)燒結;
b.所述導熱絕緣片選用高導熱率絕緣的電子陶瓷片(4);
c.所述導熱絕緣電子陶瓷片(4)雙面涂鍍有一金屬層;
d.在所述芯片(1)的安裝面上涂覆有一層導熱硅脂,直接將芯片(1)貼裝于熱沉(3)表面。
2.根據權利要求1所述的一種絕緣型大功率三極管的制造方法,其特征在于芯片(1)集電極與熱沉(3)燒結溫度為200℃~450℃,熱沉(3)與導熱絕緣電子陶瓷片(4)的燒結溫度為200℃~450℃,導熱絕緣電子陶瓷片(4)與金屬底板(2)的燒結溫度為200℃~450℃。
3.根據權利要求1所述的一種絕緣型大功率三極管的制造方法,其特征在于所述電子陶瓷片(4)雙面涂鍍的金屬層采用鎳、汞、鈰、鋅、金或鎳化汞。
4.根據權利要求1和3中任一項所述的一種絕緣型大功率三極管的制造方法,其特征在于所述電子陶瓷片(4)雙面涂鍍的金屬層其單面厚度為5~20微米。
5.根據權利要求1所述的一種絕緣型大功率三極管的制造方法,其特征在于所述熱層(3)可選用銅,鋁或銅合金,所述底板(2)可選用銅合金、鐵或鋁。
6.根據權利要求1所述的一種絕緣型大功率三極管的制造方法,其特征在于所述芯片(1)可采用雙極性晶體管、場效應晶體管或肖特基二級管芯片。
7.根據權利要求1所述的一種絕緣型大功率三極管的制造方法,其特征在于所述熱層(3)連接在導熱絕緣電子陶瓷片(4)上,所述導熱絕緣電子陶瓷片(4)連接在底板(2)上。
8.根據權利要求1所述的一種絕緣型大功率三極管的制造方法,其特征在于在熱沉(3)上直接點焊晶體管的一只引腳(6),引腳(6)通過引線(7)與芯片(1)相連,所述引線(7)選用鋁線或銅線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





