[發明專利]Zn-Al-Zr-Si高阻尼性能減振合金及其制備和熱處理工藝無效
| 申請號: | 200610047639.0 | 申請日: | 2006-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN101139673A | 公開(公告)日: | 2008-03-12 |
| 發明(設計)人: | 戎利建;劉樹偉;李秀艷;閆德勝;趙明久 | 申請(專利權)人: | 中國科學院金屬研究所 |
| 主分類號: | C22C18/04 | 分類號: | C22C18/04;C22C1/02;B22D17/00;B22D21/02;C22F1/16 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | zn al zr si 阻尼 性能 合金 及其 制備 熱處理 工藝 | ||
技術領域:
本發明涉及ZnAl合金阻尼性能的改善,具體地說是一種Zn-Al-Zr-Si高阻尼性能減振合金及其制備方法和熱處理工藝。通過在ZnAl合金中添加合金元素,并經過一定的熱處理制度改善合金的顯微組織,提高合金的阻尼性能。
背景技術:
隨著現代工業的發展,人們除了對機械提出高性能、高效率、高精度的要求外,對于由機械裝置引起的振動、噪聲及其對環境污染的治理也日益重視。如何減少振動和抑制噪聲是一個急需解決的重要課題。作為解決方法之一,高阻尼合金直接用于振源對減振降噪具有明顯的效果。鋅鋁合金作為一種開發較早的減振合金,具有比重小、比強度高、非磁性、工藝性能優良、價格低廉等優點,目前已經廣泛用于制作軸承、各種管接頭、滑輪以及各類受沖擊和磨損的鑄件。其中Zn-22wt%Al合金不僅具有較好的超塑性能,而且在ZnAl系合金中擁有最好的阻尼性能。但是Zn-22wt%Al合金在室溫、低頻條件下的阻尼性能并不理想,影響了它的進一步使用。
發明內容:
本發明的目的是提供一種Zn-Al-Zr-Si高阻尼性能減振合金及其制備方法和熱處理工藝。通過添加合金元素,研制出一種制備方法簡單,晶粒細化良好、成分均勻的擁有高阻尼性能的鋅鋁系合金。
為了實現上述目的,本發明的技術方案是:
一種Zn-Al-Zr-Si高阻尼性能減振合金,按重量百分比計,合金化學成分如下:
鋁22%-25%,鋯0.1%-0.25%,硅0.1%-8%,鋅余量。
所述的Zn-Al-Zr-Si高阻尼性能減振合金,鋯較好為0.1%-0.2%,硅較好為0.5%-6%。
所述的Zn-A1-Zr-Si高阻尼性能減振合金的制備方法,包括如下步驟:
1)首先將純鋁,Al-12wt%Si及Al-4wt%Zr中間合金加入電阻爐中,升溫至750±10℃熔化;
2)待鋁全部熔化后,再加入純鋅熔化;
3)采用擠壓鑄造工藝,在500±10℃澆入模腔,10秒內開始施加壓力,比壓為80~100MPa,完全凝固后,開模取出鑄件。
所述的Zn-Al-Zr-Si高阻尼性能減振合金的熱處理工藝,包括如下步驟:
1)在350±10℃下保溫2-3小時后,水淬冷卻至室溫;
2)在60±5℃下保溫3-4小時后,水淬冷卻至室溫。
本發明在原有Zn-22wt%Al共析減振合金的基礎上,通過添加少量的Zr以及Si元素,采用擠壓鑄造工藝并經過適當的熱處理改善合金的性能,使相組織顯著細化,增加可動相界面的數目;富含硅相,增加材料中位錯的密度,并引入硅相/基體界面這一新的內耗源,從而提高合金的阻尼性能。
本發明以鋅鋁合金為基體,設計開發新的高阻尼性能的ZnAl合金。新減振合金的設計應根據合金的阻尼機制,采取適當的措施來改進,并且可以引入新的阻尼機理,進一步改善合金的減振性能。Zn-Al系減振合金屬于復相型,其主要的阻尼機制包括界面阻尼、位錯阻尼以及熱彈性內耗。前者是基于第二相與基體的相界面上發生的非彈性粘滯運動,阻尼性能的高低取決于可動相界面的數目及相界面的可動性;位錯阻尼是由于位錯線在釘軋點間做往復的“弓出”運動形成應力應變滯后迴線造成,與合金中位錯的密度以及位錯線的長度有關,位錯的密度越大,位錯線越長,位錯阻尼越高;熱彈性內耗是由于材料內部各點受力不均勻,在材料內部形成溫度差,從而造成熱流引起能量而耗散掉,由于此部分內耗與材料的幾何尺寸、受力狀態有關,因此不在本材料設計的考慮范疇。另外,研究發現,向合金中添加強化相后,由于強化相與基體的熱膨脹系數存在巨大差異,在合金的凝固冷卻過程中,使得合金內部靠近強化相附近形成較大的應力集中,從而在強化相周圍產生大量的位錯;同時會在合金中形成新的界面(強化相/基體),成為新的內耗源,此內耗與合金中強化相的數量以及強化相與基體間的摩擦系數有關。
為了提高Zn-Al減振合金的阻尼性能,根據上述阻尼機理,我們采取了以下幾個措施:
1、毛坯采用擠壓鑄造工藝制備,以減少鑄件中的疏松、氣孔、偏析等鑄造缺陷,獲得成分均勻、晶粒細小的鑄造組織。
2、通過調整熱處理工藝,細化合金組織,特別是細化共析體,以增加相界面;
3、向合金中添加少量的鋯和硅元素以形成彌散分布的第二相,進一步增加相界面,產生新的內耗源。
本發明的優點在于:
1、冶煉加工方法簡單,生產成本低。
2、顯著改善了合金的阻尼性能,室溫下合金的減振系數提高約一倍。
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