[發(fā)明專利]大直徑高硬度6H－SiC單晶片的表面拋光方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610043816.8 | 申請日： | 2006-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN1836842A | 公開（公告）日： | 2006-09-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐現(xiàn)剛;胡小波;陳秀芳;蔣民華 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東大學(xué) |
| 主分類號： | B24B29/02 | 分類號： | B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 寧欽亮 |
| 地址： | 250100山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 直徑 硬度 sic 晶片 表面 拋光 方法 | ||
【說明書】：
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