[發明專利]一種制造氮化鎵發光二極管芯片的工藝方法無效
| 申請號： | 200610035321.0 | 申請日： | 2006-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN1851941A | 公開（公告）日： | 2006-10-25 |
| 發明（設計）人： | 王孟源;陳國聰 | 申請（專利權）人： | 普光科技（廣州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利代理有限公司 | 代理人： | 林麗明 |
| 地址： | 510530廣東省廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制造 氮化 發光二極管 芯片 工藝 方法 | ||
【說明書】：
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