[發明專利]半導體器件柵極的制造方法

有效

• 申請號: 200610030811.1
• 申請日: 2006-09-04
• 公開（公告）號: CN101140873A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 馬擎天;張海洋;劉乒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種半導體器件柵極的制造方法，包括：

在半導體襯底上形成介質層；

在所述介質層上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成掩膜層并圖案化所述掩膜層以定義柵極的位置；

刻蝕所述掩膜層和多晶硅層形成柵極；

去除黏附于所述柵極根部的聚合物；

移除所述掩膜層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：去除黏附于所述柵極根部的聚合物的步驟包括：

氧化黏附于所述柵極根部的聚合物；

濕法清洗氧化后的聚合物。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述氧化為氧氣等離子體各向異性腐蝕。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于：所述氧氣等離子體各向異性腐蝕的工藝參數包括：反應室壓力為2～15mTorr，射頻功率為100～1000W；襯底偏置電壓為10～200V，氧氣的流量為50～500sccm。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于：所述刻蝕時間為50～600S。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述掩膜層包括光致抗蝕劑和抗反射層。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于：所述光致抗蝕劑層的厚度為1500～2500。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于：所述抗反射層為富硅聚合物，厚度為1500～2000。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述掩膜層采用灰化工藝去除。

10.一種半導體器件柵極的制造方法，包括：

在半導體襯底上形成介質層；

在所述介質層上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成掩膜層并圖案化所述掩膜層以定義柵極的位置；

刻蝕所述掩膜層和多晶硅層形成柵極；

氧化黏附于所述柵極根部的聚合物；

濕法去除氧化后的聚合物；

移除所述掩膜層。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于：所述氧化為具有方向性的氧化。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述方向性氧化的工藝參數包括：反應室壓力為2～15mTorr，射頻功率為100～1000W；襯底偏置電壓為10～200V，氧氣的流量為50～500sccm。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于：所述刻蝕時間為50～600S。

14.如權利要求10所述的方法，其特征在于：所述掩膜層包括光致抗蝕劑和抗反射層。

15.如權利要求10所述的方法，其特征在于：所述掩膜層采用灰化工藝去除。