[發明專利]形成光刻膠圖案的方法

有效

• 申請號: 200610030800.3
• 申請日: 2006-09-04
• 公開（公告）號: CN101140421A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 汪釘崇;藍受龍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種形成光刻膠圖案的方法，包括：

提供一半導體基底，在所述半導體基底上形成有第一介質層及第二介質層；

在所述第二介質層及第一介質層中形成連接孔；

對所述形成有連接孔的半導體基底進行烘烤；

在所述連接孔中及第二介質層上形成犧牲層；

在所述犧牲層上旋涂光刻膠并形成溝槽圖案。

2.如權利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于：所述第一介質層為碳化硅、氧化硅、氮化硅、碳氮氧化合物、摻氮碳化硅中的一種或其組合。

3.如權利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于：所述第二介質層為黑鉆石、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氧化硅、氮化硅、碳化硅中的一種或其組合。

4.如權利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，所述形成連接孔的步驟包括：

在所述第二介質層上旋涂抗反射層；

在所述抗反射層上旋涂光刻膠；

通過曝光顯影在所述光刻膠上形成連接孔圖案；

通過刻蝕將所述連接孔圖案轉移到第二介質層上；

刻蝕所述連接孔底部的第一介質層至基底表面露出；

移除所述光刻膠及抗反射層。

5.如權利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于：所述烘烤的溫度為200～300℃。

6.如權利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于：所述烘烤的時間為120s～500s。

7.如權利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，該方法進一步包括：在進行烘烤的過程中通過排氣裝置將所述烘烤產生的揮發物抽出。

8.如權利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于：所述犧牲層為DUO或有機抗反射材料中的一種。

9.如權利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于，該方法還進一步包括：刻蝕將所述溝槽圖案轉移到所述第二介質層上。

10.如權利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于：該方法進一步包括在所述烘烤之后和形成犧牲層之前的降溫過程。

11.如權利要求1所述的形成光刻膠圖案的方法，其特征在于：所述光刻膠為化學放大光刻膠。