[發明專利]通孔刻蝕方法

有效

• 申請號: 200610030795.6
• 申請日: 2006-09-04
• 公開（公告）號: CN101140881A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 韓秋華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/66;G03F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種通孔刻蝕方法，包括：

形成通孔刻蝕結構，所述通孔刻蝕結構包含順序沉積的粘接層、刻蝕終止層、介質層、輔助刻蝕終止層及圖案化的光致抗蝕劑層；

將所述刻蝕終止層分為第一刻蝕終止層及第二刻蝕終止層，所述第一刻蝕終止層及第二刻蝕終止層分別具有第一厚度及第二厚度；

順序刻蝕輔助刻蝕終止層、介質層及第一刻蝕終止層；

移除光致抗蝕劑層；

刻蝕第二刻蝕終止層及部分粘接層，同時進行終點檢測。

2.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述通孔刻蝕結構包含抗反射涂層，即所述通孔刻蝕結構包含順序沉積粘接層、刻蝕終止層、介質層、輔助刻蝕終止層、抗反射涂層及圖案化的光致抗蝕劑層。

3.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：在刻蝕輔助刻蝕終止層之前刻蝕抗反射涂層。

4.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述移除光致抗蝕劑層的步驟中包括移除所述抗反射涂層。

5.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述輔助刻蝕終止層與所述刻蝕終止層材料相同。

6.根據權利要求1或5所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述輔助刻蝕終止層及所述刻蝕終止層材料為氮化硅、碳化硅、碳氧化硅或碳氮化硅等材料中的一種或其任意組合。

7.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述輔助刻蝕終止層的厚度為所述刻蝕終止層的第二厚度及與所述刻蝕終止層的過刻蝕期望厚度的總和。

8.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述輔助刻蝕終止層的形成方法采用低壓化學氣相沉積或等離子體增強化學氣相沉積方法等方法中的一種。

9.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述終點檢測方法包括激光干涉法、反射圖譜法或發射光譜法等方法中的一種。