[發(fā)明專利]肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610030635.1
• 申請日: 2006-08-31
• 公開（公告）號: CN101136441A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 武潔;李平梁;徐向明
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)，以金屬和N阱形成的肖特基結(jié)為正極，肖特基結(jié)通過接觸孔與金屬極板相連；以N型半導(dǎo)體為負極，其特征是，在肖特基結(jié)上設(shè)置多個彼此分離的P+區(qū)域，任意兩個P+區(qū)域之間的間距滿足如下條件：在反向偏壓時，P+/N阱結(jié)耗盡區(qū)彼此相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)，其特征是，所述P+區(qū)域邊緣形狀與所述肖特基結(jié)邊緣形狀為幾何意義上的相似形。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)，其特征是，所述肖特基結(jié)設(shè)置成圓形，所述P+區(qū)域設(shè)置成同心圓環(huán)狀，各P+區(qū)域邊緣相互平行。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)，其特征是，所述肖特基結(jié)設(shè)置成正多邊形，所述P+區(qū)域設(shè)置成同心正多邊形環(huán)，各P+區(qū)域邊緣相互平行。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)，其特征是，所述肖特基結(jié)設(shè)置成正八邊形，所述P+區(qū)域設(shè)置成同心正八邊形環(huán)，各P+區(qū)域邊緣相互平行。