[發(fā)明專利]多芯片半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610030626.2 | 申請(qǐng)日: | 2006-08-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101136394A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王津洲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/00 | 分類號(hào): | H01L25/00;H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 半導(dǎo)體 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種多芯片半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),包括:若干個(gè)倒裝芯片和引線框架,所述引線框架包括管芯墊和引線,管芯墊上有中間焊盤和邊緣焊盤,中間焊盤與倒裝芯片電連接,邊緣焊盤用于引線和中間焊盤電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述倒裝芯片包括母芯片和子芯片,母芯片和子芯片分布于引線框架兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多芯片半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述引線框架為單層結(jié)構(gòu),管芯墊上的中間焊盤和邊緣焊盤貫穿管芯墊厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:母芯片和子芯片上分布有焊盤,用焊料凸塊將子芯片上的焊盤與管芯墊的中間焊盤電連接,用焊料凸塊將母芯片上的焊盤與管芯墊的中間焊盤電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多芯片半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:母芯片和子芯片上的焊盤分為功能驅(qū)動(dòng)焊盤和非功能驅(qū)動(dòng)焊盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多芯片半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:子芯片上功能驅(qū)動(dòng)焊盤與母芯片上功能驅(qū)動(dòng)焊盤為鏡像反對(duì)稱,連接于管芯墊不同的中間焊盤上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多芯片半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:子芯片上非功能驅(qū)動(dòng)焊盤與母芯片上非功能驅(qū)動(dòng)焊盤為鏡像對(duì)稱,一一對(duì)應(yīng)連接于管芯墊的中間焊盤上。
8.一種多芯片半導(dǎo)體封裝方法,首先提供若干個(gè)倒裝芯片和引線框架,所述引線框架包括管芯墊和引線,管芯墊上有中間焊盤和邊緣焊盤,其特征在于,還包括下列步驟:
將管芯墊的中間焊盤和倒裝芯片電連接;
將管芯墊的中間焊盤和邊緣焊盤電連接;
將管芯墊的邊緣焊盤和引線電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多芯片半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于:所述倒裝芯片包括母芯片和子芯片,母芯片和子芯片分布于引線框架兩側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多芯片半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于:所述引線框架為單層結(jié)構(gòu),管芯墊上的中間焊盤和邊緣焊盤貫穿管芯墊厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多芯片半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于:母芯片和子芯片上分布有焊盤,用焊料凸塊將子芯片上的焊盤與管芯墊的中間焊盤電連接,用焊料凸塊將母芯片上的焊盤與管芯墊的中間焊盤電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多芯片半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于:母芯片和子芯片上的焊盤分為功能驅(qū)動(dòng)焊盤和非功能驅(qū)動(dòng)焊盤。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多芯片半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于:子芯片上功能驅(qū)動(dòng)焊盤與母芯片上功能驅(qū)動(dòng)焊盤為鏡像反對(duì)稱,連接于管芯墊不同的中間焊盤上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多芯片半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于:子芯片上非功能驅(qū)動(dòng)焊盤與母芯片上非功能驅(qū)動(dòng)焊盤為鏡像對(duì)稱,一一對(duì)應(yīng)連接于管芯墊的中間焊盤上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多芯片半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于:用連接線將管芯墊的中間焊盤與邊緣焊盤進(jìn)行電連接,連接線的材料是銅、鐵、鎳、鐵鎳合金或銅鎳合金。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多芯片半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于:用鍵合線連接管芯墊的邊緣焊盤和引線框架的引線,鍵合線的材料是金、銅、鋁或銅鋁合金。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
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