[發(fā)明專利]用于拋光低介電材料的拋光液無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610030457.2 | 申請日: | 2006-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN101130665A | 公開(公告)日: | 2008-02-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋偉紅;陳國棟;荊建芬;姚穎;宋成兵 | 申請(專利權(quán))人: | 安集微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C09G1/02 | 分類號: | C09G1/02 |
| 代理公司: | 上海虹橋正瀚律師事務(wù)所 | 代理人: | 李佳銘 |
| 地址: | 201203上海市浦東新區(qū)張江高*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 拋光 低介電 材料 | ||
1.一種用于拋光低介電材料的拋光液,該拋光液包括磨料和水,其特征在于:還包括一種或多種金屬螯合劑、唑類成膜劑和氧化劑。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光液,其特征在于:所述的拋光液還包括表面活性劑。
3.如權(quán)利要求1所述的拋光液,其特征在于:所述的磨料為SiO2溶膠顆粒、覆蓋鋁或摻雜鋁的SiO2溶膠顆粒、Al2O3顆粒、高聚物顆粒或它們的混合物。
4.如權(quán)利要求3所述的拋光液,其特征在于:所述的磨料的粒徑是20~150nm。
5.如權(quán)利要求4所述的拋光液,其特征在于:所述的磨料的粒徑是50~120nm。
6.如權(quán)利要求1所述的拋光液,其特征在于:所述的金屬螯合劑為一種或多種有機(jī)膦酸或聚有機(jī)酸螯合物。
7.如權(quán)利要求6所述的拋光液,其特征在于:所述的有機(jī)膦酸為:2-磷酸丁烷-1,2,4三羧酸、羥基亞乙基二磷酸、2-羥基膦酰基乙酸、氨基三亞甲基磷酸、二亞乙基三胺五亞甲基磷酸、乙二胺四亞甲基磷酸、多元醇磷酸酯或多氨基多醚基四亞甲基磷酸。
8.如權(quán)利要求6所述的拋光液,其特征在于:所述的聚有機(jī)酸螯合物為聚環(huán)氧琥珀酸、聚天冬氨酸、水解聚馬來酸酐、聚馬來酸酐-聚丙烯酸共聚物、丙烯酸-2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸共聚物、丙烯酸-丙烯酸羥丙酯共聚物或丙烯酸-丙烯酸酯-磷酸-磺酸鹽共聚物。
9.如權(quán)利要求6所述的拋光液,其特征在于:所述的金屬螯合劑重量百分比濃度為0.01~2%。
10.如權(quán)利要求9所述的拋光液,其特征在于:所述的金屬螯合劑重量百分比濃度為0.1~1%。
11.如權(quán)利要求1所述的拋光液,其特征在于:所述的唑類成膜劑包括苯并三氮唑及其衍生物、1-苯基-5-巰基-四氮唑、2-巰基-苯并噻唑、苯并咪唑或2-巰基苯并咪唑。
12.如權(quán)利要求11所述的拋光液,其特征在于:所述的唑類成膜劑重量百分比濃度為0.01~1%。
13.如權(quán)利要求12所述的拋光液,其特征在于:所述的唑類成膜劑重量百分比濃度為0.1~0.5%。
14.如權(quán)利要求1所述的拋光液,其特征在于:所述的氧化劑為H2O2、過硫酸及其鹽或有機(jī)過氧化物。
15.如權(quán)利要求14所述的拋光液,其特征在于:所述的氧化劑重量百分比濃度為0~10%。
16.如權(quán)利要求15所述的拋光液,其特征在于:所述的氧化劑重量百分比濃度為0.1~3%。
17.如權(quán)利要求2所述的拋光液,其特征在于:所述的表面活性劑為陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、兩性表面活性劑或非離子表面活性劑。
18.如權(quán)利要求17所述的拋光液,其特征在于:所述的表面活性劑為:聚丙烯酸及其鹽、聚丙烯酰銨、聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯亞胺、季銨鹽表面活性劑、甜菜堿、氨基酸型表面活性劑、脂肪醇聚氧乙烯醚、葡聚糖或殼聚糖。
19.如權(quán)利要求17所述的拋光液,其特征在于:所述的表面活性劑重量百分比濃度為0.01~0.5%。
20.如權(quán)利要求19所述的拋光液,其特征在于:所述的表面活性劑重量百分比濃度為0.05~0.2%。
21.如權(quán)利要求18所述的拋光液,其特征在于:所述的聚丙烯酸及其鹽的分子量范圍為2000~30萬,聚丙烯酰銨的分子量范圍為1000-500萬,聚乙二醇的分子量范圍為200~10000,聚乙烯醇的分子量范圍為1000-10萬,聚乙烯亞胺的分子量范圍為1000~10萬,葡聚糖的分子量范圍為1000-20萬。
22.如權(quán)利要求1至21任一項(xiàng)所述的拋光液,其特征在于:所述的拋光液還包括有機(jī)胺類化合物、氮雜環(huán)類化合物、甘油或殺菌劑中的一種或多種。
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