[發明專利]用于半導體制程中的金屬防腐蝕清洗液

有效

• 申請號: 200610030456.8
• 申請日: 2006-08-25
• 公開（公告）號: CN101130876A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發明（設計）人: 徐春;宋偉紅;荊建芬;顧元
• 申請（專利權）人: 安集微電子（上海）有限公司
• 主分類號: C23G1/06
• 分類號: C23G1/06
• 代理公司: 上海虹橋正瀚律師事務所
• 代理人: 李佳銘

1.一種用于半導體中金屬防腐蝕的清洗液，其特征在于：包括一種載體，還包括一種或多種有效清除金屬表面各種殘留，同時有效防止金屬表面腐蝕的有機酸化學添加劑。

2.如權利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的有機酸化學添加劑為有機羧酸、有機膦酸、有機磺酸或含氮氨基酸以及它們的形成鹽形成的組合物。

3.如權利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有機羧酸為檸檬酸、草酸、酒石酸、琥珀酸或馬來酸中的一種或多種的組合。

4.如權利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有機膦酸包括烷基膦酸、苯基膦酸、1-羥基乙烯基-1，1-二膦酸、亞甲基膦酸，乙烯基-二胺-4、亞甲基膦酸、丁烷膦酰基-1，2，4-三羧酸、環己基-二胺-4、亞甲基膦酸、環丁烷基-三胺-5-亞甲基膦酸或多氨基多醚基四亞甲基膦酸中的一種或多種的組合。

5.如權利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有機磺酸包括甲基磺酸、乙基磺酸、二甲基磺酸或丁基磺酸內酯中一種或多種的組合。

6.如權利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的含氮氨基酸包括甘氨酸、丙氨酸、亮氨酸、異亮氨酸、纈氨酸、胱氨酸、半胱氨酸、甲硫氨酸、蘇氨酸、絲氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、脯氨酸、羥脯氨酸，谷氨酸、天門冬氨酸、賴氨酸或精氨酸中的一種或多種的組合。

7.如權利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有機羧酸化學添加劑的重量百分比含量為0.05～5％。

8.如權利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有機膦酸化學添加劑的重量百分比含量為0.02～1％。

9.如權利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有機磺酸化學添加劑的重量百分比含量為0.02～1％。

10.如權利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的氨基酸化學添加劑的重量百分比含量為0.05～5％。

11.如權利要求1至10任一所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液還包括PH調節劑、表面活性劑和/或聚合物金屬防腐抑制劑。

12.如權利要求11所述的清洗液，其特征在于：所述的聚合物金屬防腐抑制劑為聚丙烯酸類化合物、丙烯酸類化合物與苯乙烯的共聚化合物、丙烯酸類化合物與順丁烯二酸酐的共聚化合物、丙烯酸類化合物與丙烯酸酯類的共聚化合物、膦酰基羧酸共聚物、丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸鹽三元共聚物或者丙烯酸-丙烯酸酯-膦酸-磺酸鹽四元共聚物。

13.如權利要求11所述的清洗液，其特征在于：所述的聚合物金屬防腐抑制劑分子量在2,000～3,000,000。

14.如權利要求13所述的清洗液，其特征在于：所述的聚合物金屬防腐抑制劑重量百分比含量范圍在0～20％。

15.如權利要求12～14所述的清洗液，其特征在于所述的聚合物金屬防腐抑制劑為多聚羧酸和/或其鹽為式I化合物：

式I

其中，R₁、R₂獨自地為氫原子或碳原子數小于3的烷基，R₃為H、K、Na或NH₄。

16.如權利要求15所述的清洗液，其特征在于：所述的聚丙烯酸類化合物為聚丙烯酸。

17.如權利要求15所述的清洗液，其特征在于：所述的聚丙烯酸類化合物分子量為5,000～30,000。

18.如權利要求11或15所述的清洗液，其特征在于：所述的聚丙烯酸類化合物重量百分比含量為10ppm～5000ppm。

19.如權利要求4或5所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液還包括含氮雜環化合物為苯并三唑、吡唑和/或咪唑。

20.如權利要求19所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液還包括含氮雜環化合物為重量百分比含量為0～0.1％。

21.如權利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液的pH值范圍為2～7。

22.根據權利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的載體為醇類和/或水。