[發明專利]改善FSG填隙性的方法有效
| 申請號： | 200610030306.7 | 申請日： | 2006-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN101131930A | 公開（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發明（設計）人： | 秦文芳;謝烜 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/316 | 分類號： | H01L21/316;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 顧繼光 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 fsg 填隙 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善FSG填隙性的方法，其特征在于，包括如下步驟：在淀積時，氣體的流量為：45sccm＜Ar＜85sccm，95sccm＜O2＜150sccm，35sccm＜SiH4＜55sccm，20sccm＜SiF4＜35sccm；壓力小于3.5mTorr，淀積速率大于3200/min。
2.如權利要求1所述的改善FSG填隙性的方法，其特征在于，所述淀積時，氣體的流量：Ar為60sccm，O2為120sccm，SiH4為45sccm，SiF4為30sccm。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
