[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200610030015.8
• 申請日: 2006-08-11
• 公開（公告）號: CN101123271A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 吳漢明;寧先捷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/43;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種金屬氧化物半導體器件，包括：

半導體襯底；

在所述襯底表面形成的柵極結構，所述柵極結構兩側具有側壁隔離物；以及

分別位于所述側壁隔離物兩側襯底中的源極區和漏極區；其特征在于還包括：

第一金屬硅化物，位于所述源極區和漏極區上；和

第二金屬硅化物，位于所述柵極結構上。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述第一金屬硅化物為合金金屬硅化物。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于：所述第一金屬硅化物包含第一金屬和第二金屬；所述第二金屬硅化物包含第二金屬。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述第一金屬為鈷，所述第二金屬為鎳。

5.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于：所述第一金屬硅化物為硅化鎳和硅化鈷的混合物；所述第二金屬硅化物為硅化鎳。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于：所述第一金屬硅化物為鎳和鈷的合金硅化物。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述柵極結構包括一個柵極介質層和一個柵電極。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述側壁隔離物下方的襯底中包括輕攙雜區。

9.一種金屬氧化物半導體器件的制造方法，包括：

在半導體襯底上形成柵極、源極區和漏極區，所述柵極兩側具有側壁隔離物；

在所述柵極表面形成沉積阻擋層；

在所述源極區和漏極區淀積第一金屬；

在所述源極區和漏極區上形成包含第一金屬的金屬硅化物層；

移除所述沉積阻擋層；

在所述柵極、源極區和漏極區表面淀積第二金屬；

在所述源極區和漏極區上形成包含第一和第二金屬的第一金屬硅化物；

選擇性刻蝕所述源極區和漏極區表面剩余的第二金屬；

在所述柵極上形成包含第二金屬的第二金屬硅化物。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于：所述第一金屬為鈷，所述第二金屬為鎳。

11.如權利要求9所述的方法，其特征在于：所述沉積阻擋層的材料為氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或其組合。

12.如權利要求9所述的方法，其特征在于：所述第一金屬硅化物為合金金屬硅化物。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于：所述第一金屬硅化物為硅化鎳和硅化鈷的混合物。

14.如權利要求12所述的方法，其特征在于：所述第一金屬硅化物為鎳和鈷的合金硅化物。

15.如權利要求9所述的方法，其特征在于：所述第二金屬硅化物為硅化鎳。

16.一種金屬氧化物半導體器件的制造方法，包括：

在半導體襯底上形成柵極、源極區和漏極區，所述柵極兩側具有側壁隔離物；

在所述柵極表面形成沉積阻擋層；

在所述源極區和漏極區淀積金屬鈷；

執行第一熱退火步驟；

移除所述沉積阻擋層；

在所述柵極、源極區和漏極區表面淀積金屬鎳；

執行第二熱退火步驟；

選擇性刻蝕所述源極區和漏極區表面剩余的鎳；

執行第三熱退火步驟。

17.如權利要求16所述的方法，其特征在于：所述第一熱退火的溫度為400-550℃。

18.如權利要求16所述的方法，其特征在于：所述第二熱退火的溫度為250-350℃。

19.如權利要求16所述的方法，其特征在于：所述第三熱退火的溫度為350-450℃。

20.如權利要求17、18或19所述的方法，其特征在于：所述熱退火為快速熱退火。