[發(fā)明專利]一種制作高壓器件溝道的非外延方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610029994.5
• 申請日: 2006-08-11
• 公開（公告）號: CN101123191A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發(fā)明（設計）人: 周貫宇;錢文生;陳華倫
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

技術領域

本發(fā)明涉及一種制作高壓器件溝道的方法，尤其涉及一種制作高壓器件溝道的非外延方法。

背景技術

目前，40V以上的高壓器件的溝道生產工藝，一般都采用以下工藝：

先在PMOS等一些需要N型埋層的區(qū)域注入銻作為N型埋層，然后再在上面外延生長N型襯底。

這種生產工藝流程復雜，成本昂貴。

發(fā)明內容

本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種生產工藝簡單，生產成本低廉的制作高壓器件溝道的非外延方法。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種制作高壓器件溝道的非外延方法，其包含如下步驟：用高能離子注入磷來做為N型埋層；用低能離子注入磷來做為N型溝道襯底；用高溫長時間退火來實現(xiàn)準均勻摻雜N型溝道。

本發(fā)明由于采用了上述新工藝，簡化了生產流程，從而起到了降低生產成本的效果。

具體實施方式

下面對本發(fā)明作進一步詳細的說明。

本發(fā)明在40V以上的高壓器件溝道的生產工藝中，相比較與現(xiàn)有工藝中的用銻注入作為N型埋層，本發(fā)明采用了高能離子注入磷來做為N型埋層。在N型埋層形成之后，相比較與現(xiàn)有工藝中的外延生長N型襯底，本發(fā)明采用中低能離子注入磷外加高溫長時間退火來作為準均勻摻雜的N型溝道。

實施例1

a.先在硅片表面生產一層犧牲氧化層；

b.在PMOS等一些需要N型埋層的區(qū)域注入1500kev左右的磷來做為N型埋層；

c.在PMOS等一些需要均勻摻雜N型襯底的區(qū)域用注入150kev左右的磷，然后再進行1200℃左右約8小時的高溫長時間退火來實現(xiàn)準均勻摻雜N型溝道。

實施例2

a.先在硅片表面生產一層犧牲氧化層；

b.在PMOS等一些需要N型埋層的區(qū)域注入1000kev左右的磷來做為N型埋層；

c.在PMOS等一些需要均勻摻雜N型襯底的區(qū)域用注入100kev左右的磷，然后再進行1200℃左右約8小時的高溫長時間退火來實現(xiàn)準均勻摻雜N型溝道。

實施例3

a.先在硅片表面生產一層犧牲氧化層；

b.在PMOS等一些需要N型埋層的區(qū)域注入2000kev左右的磷來做為N型埋層；

c.在PMOS等一些需要均勻摻雜N型襯底的區(qū)域用注入200kev左右的磷，然后再進行1200℃左右約8小時的高溫長時間退火來實現(xiàn)準均勻摻雜N型溝道。