[發明專利]進行RTA控溫測量的方法及其所用的測控晶片有效
| 申請號： | 200610029992.6 | 申請日： | 2006-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN101123170A | 公開（公告）日： | 2008-02-13 |
| 發明（設計）人： | 許世勛;朱琳 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 陳平 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 進行 rta 測量 方法 及其 所用 測控 晶片 | ||
【權利要求書】：
1.一種進行RTA控溫測量的方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)制備兩種測控晶片，一種為通過在晶片背面增加氮化硅層，使其輻射率降低至0.35的低輻射率測控晶片，另一種為通過在晶片背面增加多晶硅層，使其輻射率升高至0.95的高輻射率測控晶片；
(2)同時應用步驟(1)的低輻射率測控晶片和高輻射率測控晶片對RTA設備進行測量。
2.一種權利要求1所述方法中用的測控晶片，其特征在于，所述測控晶片是通過改變晶片背面材質而形成；其中在晶片背面增加氮化硅層，形成輻射率降低至0.35的低輻射率測控晶片；而在晶片背面增加多晶硅層，形成輻射率升高至0.95的高輻射率測控晶片。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
