[發明專利]鈷淀積的假片作業方法有效
| 申請號： | 200610029620.3 | 申請日： | 2006-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN101118836A | 公開（公告）日： | 2008-02-06 |
| 發明（設計）人： | 季芝慧;陳波;施向東 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/3205;C23C14/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 顧繼光 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈷淀積 作業 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種鈷淀積的假片作業方法，包括在假片硅基板上淀積鈷形成一層鈷膜，其特征是，在硅基板上淀積鈷膜后，再在假片上淀積一層鈦膜。
2、根據權利要求1所述的鈷淀積的假片作業方法，其特征是，所述鈦膜的厚度大于800埃并小于25000埃。
3、根據權利要求1所述的鈷淀積的假片作業方法，其特征是，所述鈦膜的厚度為3000埃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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