[發明專利]用于拋光低介電材料的拋光液無效
| 申請號： | 200610029268.3 | 申請日： | 2006-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN101108952A | 公開（公告）日： | 2008-01-23 |
| 發明（設計）人： | 陳國棟;宋偉紅;荊建芬;徐春;顧元 | 申請（專利權）人： | 安集微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | C09G1/02 | 分類號： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海虹橋正瀚律師事務所 | 代理人： | 李佳銘 |
| 地址： | 201203上海市浦東新區張江高*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 拋光 低介電 材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于拋光低介電材料的拋光液，該拋光液包括摻鋁二氧化硅磨料和水，其特征在于：其還包括含銨根離子或季銨類的小分子活性物質。
2.如權利要求1所述的拋光液，其特征在于：所述的活性物質包括氨水、五硼酸銨、酒石酸銨、四甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨和/或四丁基四氟硼酸銨。
3.如權利要求2所述的拋光液，其特征在于：所述的活性物質的用量為0.001～0.5％。
4.如權利要求3所述的拋光液，其特征在于：所述的摻鋁二氧化硅磨料的濃度為1～20％。
5.如權利要求1～4任一項所述的拋光液，其特征在于：所述的摻鋁二氧化硅磨料為溶膠型摻鋁二氧化硅分散液。
6.如權利要求5所述的拋光液，其特征在于：所述的溶膠型摻鋁二氧化硅分散液的pH值為2～7。
7.如權利要求5所述的拋光液，其特征在于：所述的摻鋁二氧化硅磨料的粒徑是5～500nm。
8.如權利要求7所述的拋光液，其特征在于：所述的摻鋁二氧化硅磨料的粒徑是5～100nm。
9.如權利要求1～4任一項所述的拋光液，其特征在于：該拋光液的pH值為2～7。
10.如權利要求1～4任一項所述的拋光液，其特征在于：所述的拋光液還包括阻蝕劑、氧化劑、速率增助劑和/或表面活性劑。
11.如權利要求1～4任一項所述的拋光液，其特征在于：所述的低介電材料是摻碳二氧化硅。
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