[發明專利]焊料凸塊的制造方法

有效

• 申請號: 200610028781.0
• 申請日: 2006-07-10
• 公開（公告）號: CN101106095A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 楊勇勝;肖德元;邢溯
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種焊料凸塊的制造方法，其特征在于包括：

提供一具有頂層金屬的半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成鈍化層；

在所述鈍化層上形成底部露出頂層金屬的連接孔；

在所述鈍化層上及連接孔中形成第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成阻擋層；

在所述阻擋層上旋涂光致抗蝕劑并形成與連接孔相對應的開口；

在所述開口中形成第二金屬層；

去除所述光致抗蝕劑；

刻蝕所述阻擋層、第一金屬層至露出覆蓋層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述鈍化層為氮化硅、氧化硅、氮氧硅化合物、聚酰亞胺的其中之一或其組合。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：形成連接孔的步驟為：

在所述鈍化層上旋涂光致抗蝕劑；

通過曝光顯影將所述連接孔圖案轉移到光致抗蝕劑上；

刻蝕連接孔圖案底部的鈍化層至露出頂層金屬；

去除所述光致抗蝕劑。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法進一步包括：形成第一金屬層前在所述連接孔中及鈍化層上形成一粘結層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一金屬層為鋁。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于：所述粘結層為鉭、氮化鉭、氮化鈦、鈦化鎢或其組合。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一金屬層的形成方法為物理氣相沉積。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述連接孔中形成的第一金屬層頂部高于鈍化層的頂部。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述阻擋層包括鉭、氮化鉭、氮化鈦、鈦化鎢、鈦硅氮化合物、鎢、氮化鎢或其組合。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述阻擋層的沉積方法為物理氣相沉積、化學氣相沉積或原子層沉積。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述開口底部露出阻擋層。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二金屬層為金，銅，鎳，銀。

13.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二金屬層的形成方式為電鍍或物理氣相沉積。

14.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法進一步包括：在200～600度條件下退火。