[發明專利]太陽能硅晶片雙束激光雙線劃槽方法與裝置無效
| 申請號： | 200610028630.5 | 申請日： | 2006-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN101100019A | 公開（公告）日： | 2008-01-09 |
| 發明（設計）人： | 王濤;姚建銓;古桂茹;劉保利 | 申請（專利權）人： | 無錫浩波光電子有限公司 |
| 主分類號： | B23K26/06 | 分類號： | B23K26/06;B23K26/04;B23K26/36;H01L21/302 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214028江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能 晶片 激光 雙線 方法 裝置 | ||
【權利要求書】：
利用Z型諧振腔的Nd：YAG激光器發射雙束輸出波長1064nm直徑Φ6的雙束激光，經直角棱鏡合并成平行雙束激光，其間距1～4mm可調，經聲光Q開關調制，經反射鏡反射到聚焦鏡，由聚焦鏡實現雙束激光聚焦，聚焦光斑為Φ9～19μm，劃槽最小線寬：10μm，實現雙束激光雙線劃刻太陽能硅晶片。
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