[發明專利]射頻金屬氧化物半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200610027810.1
• 申請日: 2006-06-19
• 公開（公告）號: CN101093831A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 廖金昌;黃威森;張莉菲
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L23/552;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1、一種射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于包括：

半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成的器件層；和

在所述器件層上形成的屏蔽層；以及

在所述屏蔽層上形成的互連層。

2、如權利要求1所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述器件層為復數柵射頻金屬氧化物半導體晶體管。

3、如權利要求1所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述屏蔽層材料是鋁或銅。

4、如權利要求1所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述屏蔽層與器件層之間形成有絕緣層。

5、如權利要求4所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述絕緣層材料是氧化硅。

6、如權利要求1或3或4所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述屏蔽層接地。

7、如權利要求2所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述復數柵射頻金屬氧化物半導體晶體管柵極相互平行排布。

8、如權利要求3或4所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述絕緣層和屏蔽層中形成有連接孔。

9、如權利要求2所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述復數柵金屬氧化物半導體晶體管柵極之間的襯底上依次形成有源極和漏極。

10、如權利要求2所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述復數柵射頻金屬氧化物半導體晶體管的柵氧厚度為1.0nm～4.0nm。

11、如權利要求2所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述復數柵射頻金屬氧化物半導體晶體管柵極寬度為65nm～350nm。

12、如權利要求1所述的射頻金屬氧化物半導體器件，其特征在于：所述器件層通過絕緣層和屏蔽層上的連接孔與互連層相連。

13、一種射頻金屬氧化物半導體器件的制造方法，其特征在于包括：

提供一半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成器件層；

在所述器件層上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成屏蔽層；

在所述屏蔽層和絕緣層上形成連接孔；

在所述屏蔽層上形成互連層。

14、如權利要求13所述的射頻金屬氧化物半導體器件的制造方法，其特征在于：所述器件層為復數柵射頻金屬氧化物半導體晶體管。

15、如權利要求13所述的射頻金屬氧化物半導體器件的制造方法，其特征在于：所述屏蔽層材料是鋁或銅。

16、如權利要求13所述的射頻金屬氧化物半導體器件的制造方法，其特征在于：所述絕緣層材料是氧化硅。

17、如權利要求13所述的射頻金屬氧化物半導體器件的制造方法，其特征在于：所述互連層通過連接孔與器件層電連接。