[發明專利]硅基液晶顯示器件及其制造和檢測方法

有效

• 申請號: 200610027586.6
• 申請日: 2006-06-12
• 公開（公告）號: CN101089677A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: 黃河;蒲賢勇;毛劍宏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;H01L21/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1、一種硅基液晶顯示器件，該器件的每一像素單元包括反射電極部分和與其相連的驅動電路部分，其特征在于：每一像素單元中具有一MOS晶體管，該MOS晶體管的柵極接至對應像素單元的反射電極處，漏極和源極分別接至所述電路部分的VDD信號端和輸出信號端。

2、如權利要求1所述的顯示器件，其特征在于：所述的MOS晶體管是NMOS晶體管或PMOS晶體管。

3、如權利要求1所述的顯示器件，其特征在于：所述的MOS晶體管的漏極和源極分別接至所述電路部分的VDD信號端和輸出信號端是利用器件電路設計中原有的線路實現。

4、一種硅基液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，包括：

在硅襯底上形成驅動電路部分，其中每個像素單元都包括一MOS晶體管，所述MOS晶體管的漏極和源極分別接至VDD信號端和輸出信號端；

在所述的驅動電路上沉積一金屬層；

刻蝕所述的金屬層形成反射電極，所述MOS晶體管的柵極接至所述反射電極處，并在所述反射電極上沉積介質層；

在所述的介質層上沉積一輔助金屬層，與所述的反射電極一起形成電容；

刻蝕所述金屬層和介質層以暴露下層電極接觸點；

檢測顯示器件；

去除所述的輔助金屬層；

刻蝕剩余部分的介質層以露出所述反射電極。

5、如權利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述的檢測顯示器件的步驟還進一步包括將所述的輔助金屬層接至地，依次在各像素單元中寫入數據，由反射電極處輸出測試信號。

6、如權利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述檢測顯示器件的步驟還進一步包括將所述的輔助金屬層接至地，依次在各像素單元中寫入數據，在所述的MOS晶體管的源極輸出測試信號，漏極接入高電平信號。

7、如權利要求5或6所述的制造方法，其特征在于：所述測試信號是對所述的電容的充、放電檢測結果。

8、如權利要求4或6所述的制造方法，其特征在于：所述的MOS晶體管是NMOS晶體管或PMOS晶體管。

9、如權利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述的去除所述的輔助金屬層步驟之前，還進一步包括沉積一保護層；在所述的去除所述的輔助金屬層步驟之后，也還進一步包括去除殘留的保護層。

10、如權利要求9所述的制造方法，其特征在于：所述保護層是光刻膠、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶硅中的一種。

11、如權利要求4或5或6或9所述的制造方法，其特征在于：所述的輔助金屬層是鋁、銅、鈦、銀、金或鉑中的一種。

12、如權利要求11所述的制造方法，其特征在于：所述的輔助金屬層的厚度在到之間。

13、一種硅基液晶顯示器件的檢測方法，其特征在于，包括：

提供在每個像素單元中都增加了MOS晶體管的硅基液晶顯示器件，所述MOS晶體管的柵極接到反射電極處，漏極和源極分別接至所述硅基液晶顯示器件電路部分的VDD信號端和輸出信號端；

沉積輔助金屬層，與反射電極一起形成電容；

將所述輔助金屬層接地；

依次在各像素單元中寫入數據；

檢測由反射電極處輸出的測試信號。

14、如權利要求13所述的檢測方法，其特征在于：所述的由反射電極處輸出的測試信號是指由反射電極處，經過所述MOS晶體管輸出測試信號。

15、如權利要求13所述的檢測方法，其特征在于：所述的測試信號為所述電容的充、放電檢測信號。

16、如權利要求13所述的檢測方法，其特征在于：所述的輔助金屬層是鋁、銅、鈦、銀、金或鉑中的一種。

17、如權利要求16所述的檢測方法，其特征在于：所述的輔助金屬層的厚度在到之間。