[發明專利]晶片背面缺陷的移除方法

有效

• 申請號: 200610027585.1
• 申請日: 2006-06-12
• 公開（公告）號: CN101090072A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: 王明珠;方明海;呂秋玲;陳淑美
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/311;H01L21/66;H01L21/67;H01L21/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1、一種晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，該方法包括：

a，確定所述晶片背面各膜層厚度與組成；

b，選用與所述晶片背面外露膜層相應的清洗液對其進行濕法刻蝕，去除該膜層；

c，檢查所述晶片背面缺陷是否被移除，若是，該晶片進入下道工序；否則轉到步驟b。

2、如權利要求1所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，步驟a包括：從所述晶片制造歷史記錄中查找背面各膜層組成及厚度。

3、如權利要求1所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述晶片背面膜層材料包括氮化硅、氧化硅和單晶硅。

4、如權利要求1所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，步驟b包括：

b1，將所述背面有缺陷的晶片置于晶片表面處理裝置；

b2，所述晶片表面處理裝置向所述晶片背面噴灑第一清洗液；

b3，所述晶片表面處理裝置向所述晶片背面噴灑第二清洗液；

b4，用氣體吹干晶片背面，從所述晶片表面處理裝置中取出晶片。

5、如權利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述的晶片表面處理裝置為單晶片濕法清洗裝置。

6、如權利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：在所述的晶片表面處理裝置用機械手卡住晶片側面并使晶片背面朝上。

7、如權利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：步驟b2和b3中晶片處于旋轉狀態。

8、如權利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，步驟b2包括：

b21，將第一清洗液噴嘴置于所述晶片背面中心上方位置；

b22，第一清洗液噴嘴向所述晶片背面噴灑第一清洗液；

b23，第一清洗液噴嘴停止向所述晶片背面噴灑第一清洗液；

b24，第一清洗液噴嘴回到原來位置。

9、如權利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述第一清洗液的噴灑時間由所述外露膜層的厚度決定。

10、如權利要求4或8或9所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述第一清洗液包括氫氟酸、硝酸、磷酸中的一種或其混合。

11、如權利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，步驟b2包括：所述晶片表面處理裝置向所述的晶片正面吹氮氣。

12、如權利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，步驟b3包括：

b31，將第二清洗液噴嘴置于所述晶片背面中心上方位置；

b32，第二清洗液噴嘴向晶片背面噴灑第二清洗溶液；

b33，第二清洗液噴嘴停止向晶片背面噴灑第二清洗溶液；

b34，第二清洗液噴嘴回到原來位置。

13、如權利要求12所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述第二清洗液為去離子水。

14、如權利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述的氣體包括氮氣。

15、如權利要求1所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述的檢查晶片背面缺陷的方法包括目檢。