[發明專利]隔離溝槽的填充方法

有效

• 申請號: 200610027583.2
• 申請日: 2006-06-12
• 公開（公告）號: CN101090088A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: 游寬結;楊海濤;平延磊
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/316
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1、一種隔離溝槽的填充方法，包括：

a在半導體基底上形成溝槽；

b沉積絕緣物質氧化物層至溝槽高度一半的位置，沉積絕緣物質所用的設備包括復數根長管和復數根短管；

c晶片旋轉一特定角度；

d根據晶片表面粗糙度的情況調整反應氣體流量比；

e根據調整后的反應氣體流量比，沉積絕緣物質氧化物層至溝槽頂部。

2、如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述長管沿圓周均勻分布。

3、如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述短管在每兩根長管間沿圓周均勻分布。

4、如權利要求3所述的方法，其特征在于：所述沉積絕緣物質所用的氣體分別從長管和短管中流出。

5、如權利要求4所述的方法，其特征在于：所述短管中流出的氣體中包括氧氣O₂和SiH₄，所述長管中流出的氣體中包括SiH₄。

6、如權利要求5所述的方法，其特征在于：在步驟b中，所述長管的氣體流量與所述長管加短管的氣體流量的流量比為0-100％。

7、如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟b中沉積溝槽一半高度所需的沉積時間是標準沉積時間的一半。

8、如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述特定角度為兩個長管之間夾角的一半。

9、如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述流量比為0-100％。

10、如權利要求9所述的方法，其特征在于：所述步驟e中沉積至溝槽頂部所用的沉積時間是標準沉積時間的另一半。