[發(fā)明專利]提高存儲單元電容器面積的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610027449.2
• 申請日: 2006-06-08
• 公開（公告）號: CN101086978A
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發(fā)明（設計）人: 吳金剛;三重野文健
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/8222
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 李勇

1.提高DRAM存儲單元電容器面積的方法，包括：

在硅襯底上形成DRAM的字線；

在硅襯底上形成淺溝隔離；

制作位線；

電介質(zhì)覆蓋，并形成存儲電容的接觸窗；

填充材料到接觸窗；

交替形成兩種電介質(zhì)層；

第一次刻蝕形成電容器圖案；

第二次刻蝕形成兩種電介質(zhì)層的不同刻蝕度；

進行電容器的后續(xù)制程。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的兩種電介質(zhì)層材料為摻雜硅玻璃和未摻雜硅玻璃。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的摻雜硅玻璃是硼磷硅玻璃(BPSG)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的摻雜硅玻璃是磷硅玻璃(PSG)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的摻雜硅玻璃是硼硅玻璃(BSG)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的未摻雜硅玻璃是二氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的二氧化硅是四乙氧基硅烷通過等離子增強化學氣相淀積(PECVD)形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一次刻蝕為干式刻蝕，采用C₄F₆或C₅F₈刻蝕氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第二次刻蝕為濕式刻蝕。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述的濕式刻蝕是熱SC1(H₂O₂+NH₃+H₂O)，即氨氣、過氧化氫、去離子水濕式刻蝕或者氫氟酸/硫酸(HF/H₂SO₄)或者BHF。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述的熱SC1濕式刻蝕在50～65℃進行。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述的熱SC1濕式刻蝕在60℃進行。