[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610026326.7
• 申請(qǐng)日: 2006-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN101064295A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張弓;陳玉文;卑多慧;孫智江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/522
• 分類號(hào): H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

1、一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包括:

襯底；在襯底上形成的介質(zhì)層和形成于所述介質(zhì)層中的金屬圖案層；

在所述介質(zhì)層和金屬圖案層上形成的刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層上形成的厚度為200埃～600埃的阻擋層；

在所述阻擋層上形成的中間介質(zhì)層；所述中間介質(zhì)層上具有溝槽和通孔，在所述溝槽和通孔中依次填充有金屬阻擋層，金屬種子層和互連金屬層。

2、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述的刻蝕停止層的厚度為100埃～300埃。

3、如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述的刻蝕停止層至少為氧化硅、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、碳氮氧化合物(SiOC)、摻氮碳化硅中的一種或其組合。

4、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述的阻擋層至少為氧化硅、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、碳氮氧化合物(SiOC)、摻氮碳化硅中的一種或其組合。

5、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述的中間介質(zhì)層至少為氟硅玻璃(FSG)、磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、氧化硅、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)中的一種或其組合。

6、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述的中間介質(zhì)層上的溝槽的深度小于通孔的深度。

7、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述的金屬阻擋層為鈦(Ti)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈷(Co)、鉑(Pt)、鈦鎢(TiW)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)中的一種或其組合。

8、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述的金屬種子層為銅、鋁、鎢、金或銀。

9、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述的互連金屬層包括銅或鋁。

10、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述的通孔位于金屬圖案上方相對(duì)應(yīng)的位置。

11、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述的通孔中的互連金屬層通過所述的金屬種子層和金屬阻擋層與所述的襯底上的所述的金屬圖案電連接。

12、一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括:

提供一半導(dǎo)體襯底，在襯底上形成介質(zhì)層和金屬圖案層；

在所述介質(zhì)層和金屬圖案層上形成刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層上形成一個(gè)阻擋層，所述阻擋層的厚度為200埃～600埃；

在所述阻擋層上形成中間介質(zhì)層；

刻蝕所述中間介質(zhì)層、阻擋層和刻蝕停止層形成通孔以露出所述金屬圖案，并在所述中間介質(zhì)層形成溝槽；

在所述溝槽和通孔中依次填充金屬種子層、金屬阻擋層和互連金屬層。

13、如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于:所述刻蝕停止層和阻擋層的形成方法包括物理氣相沉積(PVD)或化學(xué)氣相沉積(CVD)。

14、如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于:所述化學(xué)氣相沉積包括常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PE?CVD)、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)。

15、如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于:所述刻蝕停止層的厚度為100埃～300埃。

16、如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于:所述中間介質(zhì)層的形成方法包括物理氣相沉積，化學(xué)氣相沉積。

17、如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于:所述金屬阻擋層利用物理氣相沉積或電鍍方法形成。