[發(fā)明專利]硅化金屬阻止區(qū)的形成方法及半導體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610025420.0
• 申請日: 2006-04-03
• 公開（公告）號: CN101051612A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發(fā)明（設計）人: 侯大維;周朝鋒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1、一種硅化金屬阻止區(qū)的形成方法，其特征在于，包括：

在半導體基底上形成圖形化的電介質(zhì)層和多晶硅層；

形成硅化金屬阻止層；

對該硅化金屬阻止層進行曝光、顯影，形成打開區(qū)和阻止區(qū)；

第一干法蝕刻步驟，去除打開區(qū)的部分硅化金屬阻止層；

去除光阻層；

第二等向蝕刻步驟，當打開區(qū)的剩余的硅化金屬阻止層被完全去除時，停止蝕刻，保留阻止區(qū)的硅化金屬阻止層。

2、如權利要求1所述的硅化金屬阻止區(qū)的形成方法，其特征在于，所述第二等向蝕刻步驟采用濕法蝕刻。

3、如權利要求1所述的硅化金屬阻止區(qū)的形成方法，其特征在于，所述光阻采用深紫外線光阻劑。

4、如權利要求1所述的硅化金屬阻止區(qū)的形成方法，其特征在于，所述硅化金屬阻止層包括富氧硅。

5、如權利要求4所述的硅化金屬阻止區(qū)的形成方法，其特征在于，所述富氧硅層的厚度為200-600埃。

6、如權利要求4所述的硅化金屬阻止區(qū)的形成方法，其特征在于，所述富氧硅層采用化學氣相沉積的方式形成。

7、一種低電阻半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半導體基底上形成圖形化的電介質(zhì)層和多晶硅層；

形成硅化金屬阻止層；

對該硅化金屬阻止層進行曝光、顯影，形成打開區(qū)和阻止區(qū)；

第一干法蝕刻步驟，去除打開區(qū)的部分硅化金屬阻止層；

去除光阻層；

第二等向蝕刻步驟，當打開區(qū)的剩余的硅化金屬阻止層被完全去除時，停止蝕刻，保留阻止區(qū)的硅化金屬阻止層；

沉積第一金屬層；

熱處理形成金屬硅化物層；

去除阻止區(qū)的硅化金屬阻止層上的第一金屬層；

在該金屬硅化物層上沉積第二金屬層。

8、如權利要求7所述的低電阻半導體器件的制造方法，其特征在于：所述第一金屬層包括鈷，第二金屬層包括鎢。

9、如權利要求7所述的低電阻半導體器件的制造方法，其特征在于，沉積第二金屬層之前還包括：在該金屬硅化物層上沉積金屬氮化物阻擋層。

10、如權利要求7所述的低電阻半導體器件的制造方法，其特征在于，在真空、氮氣氣氛或者空氣中熱處理形成所述金屬硅化物層。

11、如權利要求7所述的低電阻半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二等向蝕刻步驟采用濕法蝕刻。

12、如權利要求7所述的低電阻半導體器件的制造方法，其特征在于，所述光阻采用深紫外線光阻劑。

13、如權利要求7所述的低電阻半導體器件的制造方法，其特征在于，所述硅化金屬阻止層包括富氧硅。

14、如權利要求13所述的低電阻半導體器件的制造方法，其特征在于，所述富氧硅層的厚度為200-600埃。