[發明專利]調節磁控濺射反應氣體分壓制備Ti－Si－N膜的方法無效
| 申請號： | 200610023448.0 | 申請日： | 2006-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN1804113A | 公開（公告）日： | 2006-07-19 |
| 發明（設計）人： | 蔡珣;徐曄;陳秋龍;沈耀;胡亞威 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/56;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海交達專利事務所 | 代理人： | 王錫麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調節 磁控濺射 反應 氣體 壓制 ti si 方法 | ||
【說明書】：
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