[發(fā)明專利]多晶硅ESD結(jié)構(gòu)保護(hù)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610022264.2 | 申請日： | 2006-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN1964070A | 公開（公告）日： | 2007-05-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李澤宏;易黎;張磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 四川綿陽信益科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/49;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 621000四川省綿陽市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 esd 結(jié)構(gòu) 保護(hù) 垂直 擴(kuò)散 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 功率 器件 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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