[發明專利]抗輻照、可集成的垂直雙擴散金屬氧化物半導體功率器件無效
| 申請號： | 200610021068.3 | 申請日： | 2006-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN1851929A | 公開（公告）日： | 2006-10-25 |
| 發明（設計）人： | 李澤宏;張子澈;易黎;張磊;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L27/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610054四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 輻照 集成 垂直 擴散 金屬 氧化物 半導體 功率 器件 | ||
【說明書】：
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